[实用新型]基板处理装置有效
申请号: | 201820127011.X | 申请日: | 2018-01-25 |
公开(公告)号: | CN207993814U | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 姜炳州;金东旻 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 朱健;陈国军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流体 腔室内部 基板处理装置 本实用新型 排出 出线 压力调整部 处理工艺 处理基板 腔室外部 完成基板 后向 腔室 收容 污染 | ||
1.一种基板处理装置,其包括:
流体排出线,其连接于收容并处理基板的腔室,并排出所述腔室内部的流体;
压力调整部,其设置于所述流体排出线,对所述腔室内部的压力进行阶段性减压。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述压力调整部调节通过所述流体排出线排出的所述流体的量和压力。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,所述压力调整部还包括:
压力感知部,其测定所述腔室内部的压力;
控制部,其以在所述压力感知部测定的压力为基准调节所述流体排出线的开闭。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,所述压力调整部包括:
调节器,其调节通过所述流体排出线的流体的量和压力;
所述控制部,其连接于所述调节器,以所述压力感知部的测定值为基准控制所述调节器。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,所述压力调整部还包括:
阀门,其对所述流体排出线进行开闭。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,所述流体排出线包括:
第一流体排出线和第二流体排出线,其在所述腔室内部的基板处理工艺期间排出所述腔室内部的流体;
第三流体排出线和第四流体排出线,其在完成所述基板处理工艺后排出所述腔室内部的流体。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述第三流体排出线还包括第三阀门和第三调节器;
若在所述腔室内部完成所述基板处理工艺,则打开所述第三阀门;
直到所述腔室内部的压力成为常压为止,所述腔室内部的流体以经所述第三调节器调节的压力通过所述第三流体排出线排出。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述第四流体排出线包括第四阀门;
若所述腔室内部的压力成为常压,则打开所述第四阀门;
所述腔室内部的流体通过所述第四流体排出线完全排出。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
惰性气体供给线,其将惰性气体供给到所述腔室。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于,
所述惰性气体是N2。
11.根据权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
惰性气体阀门,其对所述惰性气体供给线进行开闭。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造