[实用新型]基板处理装置

说明书

本实用新型的目的在于提供一种基板处理装置，其可以快速去除残留在基板的药液从而提高基板的干燥效率。根据用于实现所述目的的本实用新型的一个实施例的基板处理装置包括：工艺腔室，其利用超临界流体对涂布有药液的基板进行干燥；控制部，其以使得供给至所述工艺腔室的超临界流体的密度成为高于所述药液的密度的状态的形式进行控制。

技术领域

本实用新型涉及一种利用超临界流体的基板处理装置，更为详细地，涉及一种基板处理装置，其可以利用超临界流体和药液之间的密度差来提高基板的干燥效率。

背景技术

通常，清洗分类为湿式清洗和干湿清洗，其中湿式清洗广泛利用于半导体制造领域。湿式清洗作为在每个步骤使用与污染物质相对立的化学物质来连续去除污染物质的方式，大量使用酸和碱溶液来去除残留在基板的污染物质。

但是，用于所述湿式清洗的化学物质会对环境造成不良影响，而且工艺复杂，是使得产品的生产成本大幅上升的主要因素，不仅如此，在用于如高集成电路一样精密部分的清洗的情况下，因界面张力，所以微细结构的图案变窄并歪斜，据此还具有无法有效地实现污染物去除的问题。

作为解决所述问题的方案，最近正在开发将作为无毒性且不燃性物质、廉价且环保的物质的二氧化碳用作溶媒的干式清洗方法。二氧化碳具有很低的临界温度和临界压力，从而可以轻松到达超临界状态，并且界面张力接近于零(zero)，在超临界状态下，因很高的压缩性而易于使得密度或溶媒强度随着压力的变化而变化，并且因为通过减压转换为气体状态，所以具有可以简单地将溶媒从溶质中分离出来的优点。

如上所述，与利用超临界流体的基板处理装置相关的先行技术公开于韩国登记专利第10-0822373号、韩国登记专利第10-1384320号、韩国公开专利第10-2017-0006570号等。

在包括所述先行技术的现有技术中公开了如下装置及方法：利用超临界流体使得残留在基板的清洗液等的药液溶解，然后使得混合有超临界流体和药液的流体向腔室的外部排出，从而对基板进行干燥，但是完全没有公开超临界流体和药液之间的密度差与由此带来的基板干燥效率的相关关系。

实用新型内容

本实用新型为了解决所述问题而提出，其目的在于提供一种基板处理装置，基板处理装置快速地去除残留在基板的药液从而可以提高基板的干燥效率。

根据用于实现所述目的的本实用新型的一个实施例的基板处理装置包括：工艺腔室，其利用超临界流体对涂布有药液的基板进行干燥；控制部，其以使得供给至所述工艺腔室的超临界流体的密度成为高于所述药液的密度的状态的形式进行控制。

根据本实用新型的另一个实施例的基板处理装置包括：工艺腔室，其利用超临界流体对涂布有药液的基板进行干燥；控制部，其以使得供给至所述工艺腔室的超临界流体的密度成为低于所述药液的密度的状态的形式进行控制。

如上所述，本实用新型的基板处理装置提供如下构成：以使得供给至工艺腔室内的超临界流体的密度与残留在被处理对象基板的药液的密度的大小不同的形式对超临界流体的密度进行调节，从而可以提高基板的干燥效率。

根据本实用新型，以使得供给至工艺腔室内的超临界流体的密度与残留在被处理对象基板的药液的密度的大小不同的形式对超临界流体的密度进行调节，从而可以提高基板的干燥效率。

尤其，使得超临界流体的密度成为高于残留在基板的药液的密度的状态，从而在供给至工艺腔室内的情况下，药液漂浮在超临界流体上，所以直到超临界流体和溶液溶解为止的期间内无需等待就可以使得药液快速从基板分离出来并向工艺腔室外部排出，所以可以大幅缩短基板的干燥时间。

附图说明

图1是根据二氧化碳的温度和压力的相位图(phase diagram)，

图2是根据本实用新型的基板处理装置的构成图，