[实用新型]一种单晶掺镓双面太阳电池

权利要求书

1.一种单晶掺镓双面太阳电池，其特征在于，由正面至背面依次包括：正面电极(6)、正面减反射膜/钝化膜(3)、发射极(2)、单晶掺镓硅基底(1)、背面减反射膜/钝化膜(4)和背面电极(5)。

2.根据权利要求1所述的一种单晶掺镓双面太阳电池，其特征在于，所述的正面电极包括正面细栅线(9)，正面细栅线(9)通过局部穿透正面减反射膜/钝化膜(3)或通过在正面减反射膜/钝化膜(3)上的局部开膜区域与发射极(2)形成直接接触。

3.根据权利要求2所述的一种单晶掺镓双面太阳电池，其特征在于，所述的正面电极(6)还包括正面连接电极(8)，正面细栅线(9)与正面连接电极(8)互相垂直并在相交处相连接。

4.根据权利要求1所述的一种单晶掺镓双面太阳电池，其特征在于，所述的背面电极(5)包括背面细栅线(7)；背面细栅线(7)与单晶掺镓硅基底(1)背面接触。

5.根据权利要求4所述的一种单晶掺镓双面太阳电池，其特征在于，所述的背面细栅线(7)为含铝的电极，背面细栅线(7)和单晶掺镓硅基底(1)之间形成掺杂元素为铝的空穴掺杂层，空穴掺杂层的厚度为1～15um。

6.根据权利要求5所述的一种单晶掺镓双面太阳电池，其特征在于，所述的空穴掺杂层和背面细栅线(7)之间还包括一层铝硅合金层，铝硅合金层厚度为1～5um。

7.根据权利要求4至6任意一项所述的一种单晶掺镓双面太阳电池，其特征在于，所述的背面电极(5)还包括背面连接电极(10)，背面连接电极(10)与背面细栅线(7)方向互相垂直并在相交处相连接。

8.根据权利要求1所述的一种单晶掺镓双面太阳电池，其特征在于，所述的正面减反射膜/钝化膜(3)为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝和碳化硅薄膜中的一种或多种叠层构成；背面减反射膜/钝化膜(4)为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝和碳化硅薄膜中的一种或多种叠层构成。