[实用新型]一种多晶掺镓太阳电池有效
申请号: | 201820147344.9 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN208225893U | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 李华;靳玉鹏 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0288;H01L31/18 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 张弘 |
地址: | 225314 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 减反射膜 制备 钝化膜 发射极 多晶 背面电极 导电材料 硅基 电池 本实用新型 表面织构化 钝化膜表面 发射极表面 热处理过程 高温烧结 光伏组件 正面电极 背表面 焊接点 基底背 金属化 铝电极 膜区域 银电极 电极 钝化 受光 背面 穿透 掺杂 | ||
1.一种多晶掺镓太阳电池,其特征在于,由正面至背面依次包括:正面电极、正面减反射膜/钝化膜(3)、发射极(2)、多晶掺镓硅基底(1)和背面电极;所述的背面电极包括背面铝电极(4)和背面银电极(5);所述的正面电极包括正面细栅线(6)和正面连接电极(7)。
2.根据权利要求1所述的一种多晶掺镓太阳电池,其特征在于,正面细栅线(6)通过局部穿透正面减反射膜/钝化膜(3)或通过在正面减反射膜/钝化膜(3)上的局部开膜区域与发射极(2)形成直接接触。
3.根据权利要求1所述的一种多晶掺镓太阳电池,其特征在于,所述的铝电极(4)设置在多晶硅基底(1)的背面,背面银电极(5)设置在铝电极(4)上;铝电极(4)和背面银电极(5)均与多晶掺镓硅基底(1)背面接触。
4.根据权利要求3所述的一种多晶掺镓太阳电池,其特征在于,所述的铝电极(4)和多晶掺镓硅基底(1)之间包含一层掺杂成分为铝的空穴掺杂层,空穴掺杂层的厚度为1~15um。
5.根据权利要求4所述的一种多晶掺镓太阳电池,其特征在于,所述的空穴掺杂层和铝电极(4)之间还包括一层铝硅合金层,铝硅合金层厚度为1~5um。
6.根据权利要求1所述的一种多晶掺镓太阳电池,其特征在于,所述的正面减反射膜/钝化膜(3)为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝和碳化硅薄膜中的一种或多种叠层构成;正面减反射膜/钝化膜(3)的折射率为1.5~2.5,厚度50~100nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的