[实用新型]对部件承载件的导电层结构进行蚀刻形成导体迹线的设备

说明书

提供了一种用于对部件承载件的导电层结构进行蚀刻以形成导体迹线的设备。该设备包括：真空蚀刻单元(110)，被配置成对所述导电层结构进行真空蚀刻；双流体蚀刻单元(120)，被配置成接着对所述导电层结构进行双流体蚀刻；蚀刻添加剂添加单元(130)，被配置成在双流体蚀刻期间添加蚀刻添加剂。利用上述设备，允许对导电层结构进行各向异性蚀刻和/或允许形成具有基本上规则的形状、特别是具有基本上竖向的侧壁的导体迹线，从而提高部件承载件诸如印刷电路板的整体质量。

技术领域

本实用新型涉及一种用于对导电层结构进行蚀刻的设备(下文也简称为“蚀刻设备”)。

背景技术

在配备有一个或多个部件的部件承载件的产品功能增多和这种部件的小型化程度提高以及安装在部件承载件诸如印刷电路板(PCB)上的部件的数量增加的情况下，越来越多地采用具有若干部件的日益强大的阵列状部件或封装件，这些部件或封装件具有多个接触件或连接件，这些接触件之间的空间甚至日益减小。

PCB行业特别地面临着使所生产的印刷电路板的大小适应以符合小型化要求的任务。由于电路路径的新的尺寸、钻孔及钻孔彼此之间的距离，因此需要实施新的蚀刻技术，特别是新的铜蚀刻过程。虽然铜蚀刻过程是制造印刷电路板中最重要的步骤之一，但在制作期间对铜进行加工仍然是个挑战性的任务。在如图1所示的常规各向同性铜蚀刻过程中，在对形成在基板上并部分由掩模(作为用于图案化的阴模板)覆盖的待蚀刻铜膜进行蚀刻时，由于各向同性蚀刻，可能在掩模下方形成底切，造成粘附力差。另外，各向同性蚀刻可能无法形成非常精细的蚀刻结构，但各向同性蚀刻可能被相应的精细掩模结构阻挡。

生成具有电路路径为30微米及以下的精细结构可能需要进行各向异性蚀刻过程。在印刷电路板的情况下，期望的是蚀刻(特别是移除铜)更多地发生在竖向方向上而不在横向方向上。因此，可以得到规则的结构，并可以避免短切口。在图2中示出了理想的各向异性蚀刻过程，其中，蚀刻只发生在PCB的竖向方向上而不在横向方向上，使得没有形成底切。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种蚀刻设备，允许对导电层结构进行各向异性蚀刻和/或允许形成具有基本上规则的形状、特别是具有基本上竖向的侧壁的导体迹线，从而提高部件承载件诸如印刷电路板的整体质量。

为了实现上述目的，提供了一种用于对导电层结构进行蚀刻的设备、一种导体迹线、一种由至少两个导体迹线形成的装置以及一种部件承载件。另外，公开了一种对导电层结构进行蚀刻的方法。

根据本实用新型的示例性实施方案，对部件承载件的导电层结构进行蚀刻以形成导体迹线的方法包括下述步骤：对导电层结构进行真空蚀刻；接着在添加蚀刻添加剂(被配置成促进竖向蚀刻蚀刻并抑制横向蚀刻)的同时对(预蚀刻的)导电层结构进行双流体蚀刻。

根据本实用新型的另一示例性实施方案，用于对部件承载件的导电层结构进行蚀刻以形成导体迹线的设备包括：被配置成对导电层结构进行真空蚀刻的真空蚀刻单元，被配置成随即对(预蚀刻的)导电层结构进行双流体蚀刻的双流体蚀刻单元，以及被配置成在双流体蚀刻期间添加蚀刻添加剂(用于促进竖向蚀刻并抑制横向蚀刻)的蚀刻添加剂添加单元。

根据本实用新型的又一示例性实施方案，提供了一种具有基本上矩形截面的导体迹线，其中，上部三分之一的截面面积与中部三分之一的截面面积之间的比在0.8至1.2之间的范围内，并且中部三分之一的截面面积与下部三分之一的截面面积之间的比在0.8至1.2之间的范围内。在一实施方案中，可以通过本文描述的蚀刻过程和/或通过本文描述的蚀刻设备形成导体迹线。

根据本实用新型的再一示例性实施方案，提供了一种由均具有基本上矩形截面的第一导体迹线和在横向上直接邻接的第二导体迹线形成的装置，其中，导体迹线的上部平台(plateaus，坪)之间的距离与导体迹线的下端之间的距离之间的比在0.7至1.3之间的范围内。在一实施方案中，可以通过本文描述的蚀刻过程和/或通过本文描述的蚀刻设备形成该装置的第一导体迹线和/或第二导体迹线(特别是这两个导体迹线)。