[实用新型]高电压LED光源

说明书

本申请公开了一种高电压LED光源，该高电压LED光源包括衬底、以及形成于所述衬底表面的多个独立的LED单元，每个所述LED单元分别包括依次形成于衬底上的N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、ITO窗口层、SiO₂钝化层、以及分别与所述ITO窗口层和N型GaN层电性连接的P电极和N电极，每个LED单元的P电极与相邻LED单元的N电极之间通过金属层电性串联，所述ITO窗口层的厚度为57.5nm的偶数倍。本实用新型的高压LED可以改善droop效率影响，制作的LED器件具有良好的出光效率。

技术领域

本申请涉及半导体发光技术领域，特别是涉及一种高电压LED光源。

背景技术

大功率的LED，其通常工作在大电流下，电流扩展问题严重影响其性能。电流扩展不均容易导致电流拥挤，大大降低器件的发光效率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高电压LED光源及其制作方法，以克服现有技术中的不足。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

本申请实施例公开一种高电压LED光源，包括衬底、以及形成于所述衬底表面的多个独立的LED单元，每个所述LED单元分别包括依次形成于衬底上的N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、ITO窗口层、SiO₂钝化层、以及分别与所述ITO窗口层和N型GaN层电性连接的P电极和N电极，每个LED单元的P电极与相邻LED单元的N电极之间通过金属层电性串联，所述ITO窗口层的厚度为57.5nm的偶数倍。

优选的，在上述的高电压LED光源中，所述ITO窗口层和P型GaN层之间设置有SiO₂电流阻挡层，所述SiO₂电流阻挡层对应于所述P电极的下方。

优选的，在上述的高电压LED光源中，所述SiO₂电流阻挡层的厚度为90nm。

优选的，在上述的高电压LED光源中，所述ITO窗口层的厚度为230nm。

优选的，在上述的高电压LED光源中，所述衬底为上表面图形化的蓝宝石衬底。

优选的，在上述的高电压LED光源中，相邻的LED单元之间形成有沟槽，所述衬底的上表面构成所述沟槽的底部，所述沟槽具有倾斜的侧面。

优选的，在上述的高电压LED光源中，所述P电极和N电极的材料为Cr/Au金属。

优选的，在上述的高电压LED光源中，所述金属层的材料为Cr/Au金属。

优选的，在上述的高电压LED光源中，所述量子阱层采用InGaN/GaN结构。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：本实用新型的高压LED可以改善droop效率影响，制作的LED器件具有良好的出光效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1所示为本实用新型具体实施例中高电压LED光源的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。