[实用新型]LED矩阵显示阵列

说明书

本申请公开了一种LED矩阵显示阵列，该LED矩阵显示阵列包括一透明的衬底、以及阵列分布于该衬底上的多个发光单元，每个所述发光单元分别包括一独立的P电极，所有所述发光单元共用同一N电极，该N电极为网格状，围成有多个环形窗口，每个P电极分别对应于一个所述环形窗口中，每个发光单元还分别包括依次形成于所述衬底上的外延层和SiO₂钝化层，所述外延层包括依次形成于衬底上的N型GaN层、量子阱层和P型GaN层，所述N电极电性连接于所述N型GaN层，所述P电极电性连接于所述P型GaN层。本实用新型通过将多个LED发光单元集成在同一芯片上，并将电极进行连接，使得其具有显示的功能，P电极和N电极不交叉，制作方法简单，出光率高，分辨率高。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种LED矩阵显示阵列。

背景技术

现有技术中，GaN基的微显示LED阵列，通常从正面出光，而正面阵列分布了交叉的P电极线和N电极线，由于电极线采用金属，在出光面形成遮挡，造成出光效率低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种LED矩阵显示阵列，以克服现有技术中的不足。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

本申请实施例公开了一种LED矩阵显示阵列，包括一透明的衬底、以及阵列分布于该衬底上的多个发光单元，每个所述发光单元分别包括一独立的P电极，所有所述发光单元共用同一N电极，该N电极为网格状，围成有多个环形窗口，每个所述P电极分别对应于一个所述环形窗口中，每个所述发光单元还分别包括依次形成于所述衬底上的外延层和SiO₂钝化层，所述外延层包括依次形成于衬底上的N型GaN层、量子阱层和P型GaN层，所述N电极电性连接于所述N型GaN层，所述P电极电性连接于所述P型GaN层。

优选的，在上述的LED矩阵显示阵列中，所述衬底采用蓝宝石衬底。

优选的，在上述的LED矩阵显示阵列中，所述N电极采用依次叠加的Cr金属层、Au金属层和Ti金属层。

优选的，在上述的LED矩阵显示阵列中，所述P电极的材料为Cr/Au金属。

优选的，在上述的LED矩阵显示阵列中，所述衬底的厚度为160～200μm。

优选的，在上述的LED矩阵显示阵列中，所述量子阱层采用InGaN/GaN结构。

优选的，在上述的LED矩阵显示阵列中，量子阱层由1至6个量子阱且阱层厚度为4nm的量子阱组成。

优选的，在上述的LED矩阵显示阵列中，所有所述发光单元共用同一N型GaN层。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：本实用新型通过将多个LED发光单元集成在同一芯片上，并将电极进行连接，使得其具有显示的功能，P电极和N电极不交叉，制作方法简单，出光率高，分辨率高。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1所示为本实用新型具体实施例中LED矩阵显示阵列的结构示意图；

图2所示为本实用新型具体实施例中P电极和N电极的俯视图。

具体实施方式