[实用新型]一种像素结构及显示面板有效
申请号: | 201820173961.6 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN207781594U | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 胡小叙;叶訢;张明月 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素 像素单元 像素结构 开口 本实用新型 显示面板 邻接 排布 像素开口率 精细金属 阵列形式 掩膜板 倒角 紧凑 像素 | ||
本实用新型提供了一种像素结构及显示面板。该像素结构包括:以阵列形式排布的多个像素单元,多个像素单元中的每个像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,其中,第一子像素和第二子像素彼此邻接,并且第一子像素和第二子像素分别与第三子像素邻接,第一子像素的开口的边界与相邻的第三子像素的开口的边界在行方向上的距离小于第一距离与第二距离之和,其中,第一距离为第三子像素的开口的边界与第三子像素的边界在行方向上的距离,第二距离为第二子像素的开口的边界与第二子像素的边界在行方向上的距离。本实用新型通过控制精细金属掩膜板的倒角,使像素单元的排布更紧凑,因此,减少了像素间距,提升了像素开口率。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体涉及一种像素结构及显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展,有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)已经被广泛地应用于显示和照明等领域。由于OLED具有主动发光、亮度高、视角宽、对比度高、功耗低、厚度薄、响应速度快、制备工艺简单和成本低,特别是高品质图像及便携式、柔性等优点,因此被认为是下一代平板显示的主流技术之一。
OLED屏体的彩色化方法有许多种,现在较为成熟并已经成功量产的OLED彩色化技术是OLED蒸镀技术,其采用传统的RGB条状(RGB Stripe)排布方式进行蒸镀,其中,画面效果最好的是并置(side-by-side)的方式。并置的方式是在一个像素(Pixel)范围内有红、绿、蓝三个子像素(sub-pixel),每个子像素均呈四边形,且各自具有独立的有机发光元器件,并置的方式是利用蒸镀成膜技术通过精细金属掩膜板(Fine Metal Mask,FMM)在阵列基板上相应的像素位置形成有机发光元器件。制作高PPI(Pixel Per Inch,每英寸所拥有的像素数目)的OLED屏体的技术重点在于精细及机械稳定性好的FMM,而FMM的关键在于像素及子像素的排布方式。
然而,由于FMM工艺本身对位系统精度限制,因此,要想提高PPI(Pixel Per Inch,每英寸所拥有的像素数目)就必须牺牲像素开口率。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例提供了一种像素结构及显示面板,以解决像素开口率难以提升的问题。
本实用新型的一个实施例提供一种像素结构,包括:以阵列形式排布的多个像素单元,多个像素单元中的每个像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,其中,第一子像素和第二子像素彼此邻接,并且第一子像素和第二子像素分别与第三子像素邻接,第一子像素的开口的边界与相邻的第三子像素的开口的边界在行方向上的距离小于第一距离与第二距离之和,其中,第一距离为第三子像素的开口的边界与第三子像素的边界在行方向上的距离,第二距离为第二子像素的开口的边界与第二子像素的边界在行方向上的距离。
在本实用新型实施例中,第一子像素和第二子像素排布在一列或行,第三子像素排布在另一列或行,同一行或列中像素单元的排布结构相同,并且每个像素单元沿行或列方向翻转180度后的排布结构与同一列或行中相邻的像素单元的排布结构相同。
在本实用新型实施例中,第一子像素和第二子像素排布在一列或行时,第三子像素沿行或列方向延伸的中心线与第一子像素和第二子像素的边界线重合。
在本实用新型实施例中,第二子像素的开口的边界与像素单元相邻的像素单元的第一子像素的开口的边界在行方向上的距离小于第一距离与第二距离之和。
在本实用新型实施例中,第一子像素的开口的边界与相邻的第三子像素的开口的边界在行方向上的距离小于第二子像素的开口的边界与相邻的像素单元的第一子像素的开口的边界在行方向上的距离。
在本实用新型实施例中,第一子像素的开口的边界与相邻的第三子像素的开口的边界在行方向上的距离大于或等于第一距离与第二距离之和的M倍,其中,0<M≤0.9。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的