[实用新型]YIG谐振电路集成结构有效
申请号: | 201820177464.3 | 申请日: | 2018-02-01 |
公开(公告)号: | CN207732062U | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 杨陆;张平川;蓝江河 | 申请(专利权)人: | 西南应用磁学研究所 |
主分类号: | H01P1/218 | 分类号: | H01P1/218;H01P7/00 |
代理公司: | 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 | 代理人: | 杨晖琼 |
地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 均匀磁场区域 谐振电路 本实用新型 磁极结构 集成结构 频率偏差 谐振 凹槽形成 补偿磁场 产品调试 磁场梯度 磁路结构 调试窗口 工作气隙 结构方式 平面集成 梯度磁场 梯度磁极 梯度设计 整体激励 扰动 磁极头 上磁极 下表面 排布 下层 小球 磁场 电路 升高 上层 生产 | ||
1.一种YIG谐振电路集成结构,包括磁极结构和谐振电路,所述磁极结构包括水平设置的上磁极、下磁极、以及位于二者间的工作气隙,所述上磁极和下磁极提供竖直方向的主磁场,所述谐振电路水平设置于工作气隙中,整体为长条形,由多级小球谐振子耦合而成,且一端为信号输入端,另一端为信号输出端,其特征在于:
所述磁极结构使其工作气隙中能产生一均匀磁场区域,所述谐振电路为四个,均位于均匀磁场区域中,沿磁路结构长度方向设置,且信号输入端均位于磁路结构同一端;
其中两个谐振电路位于均匀磁场区域的下层,对称分布且间距为A1,所述A1使两谐振电路的小球谐振子互不干涉,另外两个谐振电路位于均匀磁场区域的上层,对称分布且间距为A2,所述A2使上层谐振电路分别与同侧下层谐振电路的小球谐振子发生互扰,且上层两谐振电路间的小球谐振子也发生互扰,且互扰后,上层的两小球谐振子发生频率偏差;
所述上磁极下表面中部沿磁路结构长度方向设有一凹槽,所述凹槽形成一梯度磁极,所述凹槽宽度为A3,所述A1>A3≥A2,所述梯度磁极产生的梯度磁场刚好补偿上层的两小球谐振子发生频率偏差。
2.根据权利要求1所述的YIG谐振电路集成结构,其特征在于:所述谐振电路中每个小球谐振子均设有一小球调谐杆,相邻两谐振电路的小球调谐杆分别位于小球谐振子相互远离的一侧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南应用磁学研究所,未经西南应用磁学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820177464.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种具有插线自锁功能的合路器
- 下一篇:一种抗弯折射频同轴电缆