[实用新型]硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构

权利要求书

1.一种硅基光波导芯片，其特征在于：包括硅衬底、埋氧层，顶硅层，二氧化硅绝缘层、金属导线、焊点、以及垂直腔面发射激光器;

从下至上依次排布衬底、埋氧层，顶硅层，二氧化硅绝缘层；所述顶硅层上有硅波导、基于倾斜光栅耦合器，所述倾斜光栅耦合器附近的埋氧层被挖空，因此光栅耦合器的一端与所述硅衬底接触，形成倾斜结构；所述二氧化硅绝缘层之上有所述金属导线，所述金属导线之上有所述焊点。

2.根据权利要求1所述的硅基光波导芯片，其特征在于：所述倾斜结构与水平方向的夹角在4°-15°之间。

3.根据权利要求1所述的硅基光波导芯片，其特征在于，所述硅衬底厚度为50-1000um；所述埋氧层厚度为500-4000nm；所述顶硅层厚度为70-500nm。

4.根据权利要求1所述的硅基光波导芯片，其特征在于，所述倾斜光栅耦合器宽度为7-14um，与激光器光束的模斑尺寸相当。

5.根据权利要求1所述的硅基光波导芯片，其特征在于，所述金属导线采用金、铝低电阻率金属制作，厚度在20-5000nm之间。

6.根据权利要求1所述的硅基光波导芯片，其特征在于，所述焊点采用金锡合金制作，厚度在500-50000nm之间。

7.一种硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构，其特征在于，包括权利要求1所述的一种基于绝缘体上硅基底的硅光子芯片和垂直腔面发射激光器，所述垂直腔面发射激光器，包含有半导体衬底，其两端设有阳极金属和阴极金属，半导体衬底中间设有光孔，所述激光器光孔正对所述倾斜光栅耦合器的倾斜光栅中心部分。