[实用新型]一种等离子喷嘴以及等离子处理装置有效
| 申请号： | 201820190533.4 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN207731896U | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 蔡卫 | 申请（专利权）人： | 深圳市诚峰智造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/425 | 分类号： | H01L21/425;H01J37/32 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子喷嘴 等离子处理装置 容置腔 盲孔 通孔 等离子发生器 本实用新型 等离子束 套管 传统方式 电极设置 平面产品 一端封闭 一端连接 一端设置 喷嘴 内壁槽 燕尾槽 隐藏槽 电极 槽式 侧壁 偏斜 腔口 连通 | ||
【权利要求书】：
1.一种等离子喷嘴，其特征在于，包括本体，所述本体的一端封闭，本体的另一端设置有盲孔，本体的侧壁上设置有通孔，所述通孔的两端分别连通所述盲孔和外界，所述通孔的轴线与所述盲孔的轴线之间的夹角大于0°且小于180°。
2.如权利要求1所述的等离子喷嘴，其特征在于，所述通孔的数目为一个。
3.如权利要求1所述的等离子喷嘴，其特征在于，所述通孔的数目为两个以上，两个以上的通孔沿本体的周向均匀分布于所述本体的侧壁上。
4.如权利要求1所述的等离子喷嘴，其特征在于，所述通孔的轴线与所述盲孔的轴线之间的夹角为钝角。
5.如权利要求1所述的等离子喷嘴，其特征在于，所述本体包括锥形连接部和柱形延长部，所述柱形延长部连接于所述锥形连接部的底端；所述通孔位于所述柱形延长部上。
6.如权利要求1所述的等离子喷嘴，其特征在于，所述通孔与所述盲孔的孔底相接。
7.一种等离子处理装置，其特征在于，包括权利要求1-6任意一项所述的等离子喷嘴，还包括等离子发生器套管和电极，所述等离子发生器套管内包括容置腔，所述电极设置于所述容置腔内；所述等离子喷嘴的另一端连接于所述容置腔的腔口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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