[实用新型]一种无运放高阶低温漂带隙基准电路

权利要求书

1.一种无运放高阶低温漂带隙基准电路，包括：

启动电路，用于启动无运放高阶低温漂带隙基准电路；

高阶低温漂补偿电路，用于产生正温度系数电流和负温度系数电流，正温度系数电流和负温度系数电流相互补偿产生低温漂系数，包括:正温度系数补偿电路和负温度系数补偿电路；以及

自举偏置电路，用于提供正负温度系数补偿电路的偏置电流。

2.根据权利要求1所述的无运放高阶低温漂带隙基准电路，所述高阶低温漂补偿电路包括：

正温度系数补偿电路，提供具有正温度系数特性的电压，利用正温度系数电压补偿负温度系数电压；

负温度系数补偿电路，提供具有负温度系数特性的电压，利用负温度系数电压补偿正温度系数电压。

3.根据权利要求1所述的无运放高阶低温漂带隙基准电路，其中，所述启动电路包括：

第一电阻，具有第一端和第二端，其第一端耦接至第一电源端接收正电源，第二端耦接至第一NMOS管的漏极和第一NMOS管的栅极；

第一NMOS管，具有栅极、漏极和源极，其栅极耦接至第一电阻第二端，其漏极耦接至第一电阻第二端，其源极耦接至第一PNP型双极型晶体管发射极；

第一PNP型双极型晶体管，具有发射极、基极和集电极，其集电极耦接至第一NMOS管源极，其基极耦接至第三NPN型双极型晶体管基极和第四NPN型双极型晶体管基极，其发射极耦接至第二电源端接收负电源；

第二电阻，具有第一端和第二端，其第一端耦接至第一电源端接收正电源，其第二端耦接至第一NPN型双极型晶体管基极和第一NPN型双极型晶体管集电极；

第一NPN型双极型晶体管，具有集电极、基极和发射极，其集电极耦接至第二电阻第二端，其基极耦接至第二电阻第二端，其发射极耦接至第一稳压二极管第一端和第二NPN型双极型晶体管基极；以及

第二NPN型双极型晶体管，具有基极、集电极和发射极，其基极耦接至第一NPN型双极型晶体管发射极和第一稳压二极管第一端，其集电极耦接至第一电源端接收正电源，其发射极耦接至第三NPN型双极型晶体管基极和第四NPN型双极型晶体管基极。

4.根据权利要求1所述的无运放高阶低温漂带隙基准电路，其中，所述自举偏置电路包括：

第一PMOS管，具有源极、栅极和漏极，其源极耦接至第一电源端接收正电源，其栅极耦接至第二PNP型双极型晶体管发射极，其漏极耦接至第二PNP型双极型晶体管发射极；

第二PNP型双极型晶体管，具有发射极、基极和集电极，其发射极耦接至第一PMOS管栅极和第一PMOS管漏极，其基极耦接至第四PNP型双极型晶体管基极和第五PNP型双极型晶体管发射极，其集电极耦接至第三PNP型双极型晶体管发射极；

第三PNP型双极型晶体管，具有发射极、基极和集电极，其发射极耦接至第二PNP型双极型晶体管集电极，其基极耦接至第五PNP型双极型晶体管基极和第三NPN型双极型晶体管集电极，其集电极耦接至第三NPN型双极型晶体管集电极；

第二PMOS管，具有源极、栅极和漏极，其源极耦接至第一PMOS管源极和第六NPN型双极型晶体管集电极，其栅极耦接至第四PNP型双极型晶体管发射极，其漏极耦接至第四PNP型双极型晶体管发射极；

第四PNP型双极型晶体管，具有发射极、基极和集电极，其发射极耦接至第二PMOS管栅极和第二PMOS管漏极，其基极耦接至第二PNP型双极型晶体管基极和第五PNP型双极型晶体管发射极，其集电极耦接至第二PNP型双极型晶体管基极和第五PNP型双极型晶体管发射极；

第五PNP型双极型晶体管，具有发射极、基极和集电极，其发射极耦接至第二PNP型双极型晶体管基极和第四PNP型双极型晶体管基极，其基极耦接至第三PNP型双极型晶体管基极和第五NPN型双极型晶体管集电极，其集电极耦接至第四NPN型双极型晶体管集电极和第六NPN型双极型晶体管基极；以及

第五NPN型双极型晶体管，具有集电极、基极和发射极，其集电极耦接至第三PNP型双极型晶体管集电极、第三PNP型双极型晶体管基极和第五PNP型双极型晶体管基极，其基极耦接至第一电阻第二端和第一NMOS管漏极，其发射极耦接至第三NPN型双极型晶体管集电极。