[实用新型]CVD化学蒸汽沉积炉加热电源系统有效
申请号: | 201820192695.1 | 申请日: | 2018-02-05 |
公开(公告)号: | CN207933526U | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 唐浩;杜中杰;周芳;薛辰斌;许铃;黄佳锋;唐颖 | 申请(专利权)人: | 江阴市天马电源制造有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/52 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
地址: | 214406 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反应室 化学蒸汽沉积 导电电极 加热电源 本实用新型 温度传感器 导热板 电器箱 加热板 油墨层 发热 两端设置 铠装电缆 穿线孔 处理器 穿出 壳体 内壁 内嵌 变压器 能耗 穿过 | ||
本实用新型一种CVD化学蒸汽沉积炉加热电源系统,反应室(2)位于电器箱(1)上方,所述反应室(2)的底部设置有导热板(3),所述导热板(3)内嵌置有加热板(4),所述加热板(4)包含有两块PET基板,两块PET基板之间设置有发热油墨层,发热油墨层的两端设置有导电电极,且导电电极位于两块PET基板之间,铠装电缆的一端与导电电极相连接,另一端穿过电器箱(1)和反应室(2)后连接至变压器(106);有一温度传感器(103)安装于反应室(2)的内壁上,且温度传感器(103)的导线穿出反应室(2)的壳体后经由穿线孔(1.1)连接至处理器(111)。本实用新型一种CVD化学蒸汽沉积炉加热电源系统,能耗低且感应快。
技术领域
本实用新型涉及一种CVD化学蒸汽沉积炉加热系统,尤其是涉及一种应用新型CVD化学蒸汽沉积炉专用加热电源构成的加热系统。
背景技术
化学气相沉积是一种材料表面改性技术,它是在不改变基体材料的成分和不削弱基体材料的强度的条件下,通过挥发物气体分解或者化合反应后在基体材料的表面沉积成膜,这种膜强化技术选用的基材广泛、适用面广,已广泛应用于机械制造、冶金、电镀等领域。化学气相沉积采用的设备为CVD化学蒸汽沉积炉加热系统:其主要包含有气相反应室、加热系统、气体控制系统、排气系统组成。而其中的加热系统,是整个系统核心部件之一,通过控制反应室温度来实现气体分解或者化合反应,达到在基体上沉积成膜的效果;其提供的热边界条件是外延生长研究的前提和基础,均匀有效的温度对实际生长性能具有重要影响;而每一个特定的加热腔体都需要一个与之匹配的加热电源,加热电源通过低电压、高电流、恒功率的工作输出特性,达到加热区域温度均匀、升温降温速度快、温度快速稳定的性能。但是,如今国内的CVD化学蒸汽沉积炉加热电源系统均为进口,缺乏自主产品,且进口的CVD化学蒸汽沉积炉加热电源系统存在能耗高、反应慢的缺陷。
发明内容
本实用新型的目的在于克服上述不足,提供一种能耗低且感应快的CVD化学蒸汽沉积炉加热电源系统。
本实用新型的目的是这样实现的:
一种CVD化学蒸汽沉积炉加热电源系统,所述系统包含有电器箱和反应室,所述反应室位于电器箱上方,所述电器箱内安装有PCB线路板,所述电器箱的箱壁上安装有接线端子,且电器箱的箱壁上开设有穿线孔;所述反应室的底部设置有导热板,所述导热板内嵌置有加热板,所述加热板包含有两块PET基板,两块PET基板之间设置有发热油墨层,发热油墨层的两端设置有导电电极,且导电电极位于两块PET基板之间,铠装电缆的一端与导电电极相连接,另一端穿过电器箱和反应室后连接至变压器,且铠装电缆上串接有一继电器的被控制端,该继电器的控制端通过导线连接至处理器;三相电源线穿过穿线孔连接至PCB线路板上的整流模块,所述整流模块经安装于PCB线路板上的逆变器后通过导线连接至变压器,且逆变器和变压器之间的导线上设置有互感器模块,所述互感器模块安装于PCB线路板,且互感器模块连接至PWM驱动电路,所述PWM驱动电路连接至逆变器;有一温度传感器安装于反应室的内壁上,且温度传感器的导线穿出反应室的壳体后经由穿线孔连接至处理器。
本实用新型一种CVD化学蒸汽沉积炉加热电源系统,所述反应室的壳壁上安装有液晶显示器,所述液晶显示器的通信线缆穿线孔后连接至PCB线路板上的LCD驱动模块,该LCD驱动模块与处理器相连接。
本实用新型一种CVD化学蒸汽沉积炉加热电源系统,所述处理器和PWM驱动电路分别通过导线连接至接线端子。
本实用新型一种CVD化学蒸汽沉积炉加热电源系统,所述整流模块和逆变器均为基于MOSFET构成的电路;或者逆变器108基于IGBT构成的快速响应逆变回路。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的