[实用新型]具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器

说明书

本实用新型提供一种具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，包括从下到上依次设置的基底、第一电极、压电层和第二电极，基底与第一电极之间设有反射界面；其中压电层的中间部分位于有源区，压电层包括c轴优选压电层，所述的压电层中还包括非c轴优选压电层，所述的c轴优选压电层的一部分或全部位于非c轴优选压电层的内侧；其中位于内侧的c轴优选压电层被非c轴优选压电层包围，且位于有源区内。本实用新型通过在压电层设置非c轴优选压电层，从而在压电层能够抑制c轴优选压电层产生的侧向波或是寄生模态的共振，进而提升谐振器的Q值并减小寄生谐振。

技术领域

本实用新型属于薄膜体声波谐振器领域，具体涉及一种具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器。

背景技术

薄膜体声波谐振器是构成体声波滤波器的核心器件，其性能的好坏决定了滤波器性能的优劣。为了提供高性能的体声波滤波器，需要提供高Q值、更小寄生谐振的谐振器。

图1为一种常规薄膜体声波谐振器结构示意图，其中从上到下依次设有第二电极101、压电层102、第一电极103和基底105，其中基底105和第一电极103之间设有作为反射界面的空气腔104。目前常用的提高Q值、减小寄生谐振的方法有很多种，比较常见的是提供更好的压电层材料。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：提供一种具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，能够提升谐振器的Q值并减小寄生谐振。

本实用新型为解决上述技术问题所采取的技术方案为：一种具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，包括从下到上依次设置的基底、第一电极、压电层和第二电极，基底与第一电极之间设有反射界面；其中压电层的中间部分位于有源区，压电层包括c轴优选压电层，其特征在于：所述的压电层中还包括非c轴优选压电层，所述的c轴优选压电层的一部分或全部位于非c轴优选压电层的内侧；其中位于内侧的c轴优选压电层被非c轴优选压电层包围，且位于有源区内。

按上述方案，所述的非c轴优选压电层位于有源区内侧、有源区外侧或横跨有源区内外侧。

按上述方案，所述的反射界面为空气腔、背腔或布拉格反射镜。

按上述方案，所述的非c轴优选压电层采用非压电材料。

按上述方案，所述的非压电材料为SiO₂。

按上述方案，所述的非c轴优选压电层采用与c轴优选压电层不同的压电材料，且结晶特性也不同；非c轴优选压电层的c轴取向为c轴倾斜、水平或垂直。

按上述方案，所述的非c轴优选压电层与c轴优选压电层为在同一个压电层具有相同压电材料、不同结晶特性的薄膜；非c轴优选压电层的c轴取向为c轴倾斜、水平或垂直；

本谐振器还包括用于控制所述非c轴优选压电层在生长时形成的结晶特性的晶向控制层。

按上述方案，所述的晶向控制层通过在与压电层接触的第一电极表面改变表面粗糙度而形成。

按上述方案，所述的晶向控制层设置在所述的第一电极与非c轴优选压电层之间，晶向控制层采用与第一电极晶格不匹配的金属。

按上述方案，所述的压电材料为AlN、ZnO 、PZT、BST中的一种。

按上述方案，所述的非c轴优选压电层的厚度与c轴优选压电层的厚度一致。

本实用新型的有益效果为：通过在压电层设置非c轴优选压电层，从而在压电层能够抑制c轴优选压电层产生的侧向波或是寄生模态的共振，进而提升谐振器的Q值并减小寄生谐振。

附图说明

图1为一种常规薄膜体声波谐振器结构示意图。

图2为本实用新型实施例一的结构示意图。