[实用新型]一种形状记忆镭射膜有效
申请号: | 201820207852.1 | 申请日: | 2018-02-05 |
公开(公告)号: | CN208101254U | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 温静;张学斌 | 申请(专利权)人: | 江苏新光镭射包装材料股份有限公司 |
主分类号: | B32B27/08 | 分类号: | B32B27/08;B32B27/30;B32B27/36;B32B33/00;B32B7/12;B32B37/00;B32B37/12;B32B38/06;B65D65/40 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 赵海波;孙燕波 |
地址: | 214400 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形状记忆合金层 上表面 信息层 本实用新型 形状记忆 基底层 镭射膜 阻隔层 自动化生产 磁控溅射 均匀喷涂 涂料附着 成品率 能力强 硬挺度 胶粘 贴合 损伤 修复 | ||
1.一种形状记忆镭射膜,其特征在于:由下而上依次为基底层(1)、信息层(2)、形状记忆合金层(3)、阻隔层(4),信息层(2)均匀喷涂于基底层(1)上表面,形状记忆合金层(3)采用磁控溅射镀于信息层上表面,阻隔层采用胶粘均匀贴合于形状记忆合金层(3)上表面。
2.根据权利要求1所述的一种形状记忆镭射膜,其特征在于:所述基底层选用双向拉伸聚丙烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜中的一种,且基底层上表面刻画有能增加涂料粘附力和释放基底层过大张力的第一细沟槽,所述第一细沟槽纵横交错构成第一细沟槽格网。
3.根据权利要求2所述的一种形状记忆镭射膜,其特征在于:所述第一细沟槽的槽深和槽宽均设为基底层材料厚度的1/100~1/10。
4.根据权利要求1所述的一种形状记忆镭射膜,其特征在于:阻隔层选用聚偏二氯乙烯类,且阻隔层具有镂空结构,并于其边缘设置增加胶料粘附力和释放阻隔层过大张力的第二细沟槽。
5.根据权利要求4所述的一种形状记忆镭射膜,其特征在于:所述第二细沟槽的槽深和槽宽均设为阻隔层厚度的1/100~1/10。
6.根据权利要求5所述的一种形状记忆镭射膜,其特征在于:所述阻隔层的镂空结构为保留本体四周区域,中间设置为凹槽,其镂空高度尺寸设为阻隔层本体材料厚度的1/10~1/5,镂空边缘宽度尺寸设为阻隔层本体材料宽度的1/6~1/4。
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