[实用新型]一种体声波谐振器与表面声波谐振器的混合式声波谐振器有效

专利信息
申请号: 201820230779.X 申请日: 2018-02-08
公开(公告)号: CN207869080U 公开(公告)日: 2018-09-14
发明(设计)人: 廖珮淳 申请(专利权)人: 武汉衍熙微器件有限公司
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/05;H03H9/17
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 王丹
地址: 430205 湖北省武汉市江夏区经济开发区*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 声波谐振器 表面声波谐振器 压电层 基底 本实用新型 叉指电极 底电极 顶电极 反射层 种体 声波 压电基板 严重翘曲 依次设置 工艺流程 构成体 形成体 抑制体 倍频 寄生 模态 整合 破裂
【说明书】:

实用新型提供一种体声波谐振器与表面声波谐振器的混合式声波谐振器,包括由下到上依次设置的基底、底电极、压电层和顶电极,基底与底电极之间形成第一反射层,从而构成体声波谐振器;在同一压电层上形成叉指电极,基底与压电层之间形成第二反射层,从而构成表面声波谐振器。本实用新型通过整合工艺,直接在同一压电层上形成体声波谐振器的顶电极和表面声波谐振器的叉指电极,缩减了工艺流程,避免原工艺中出现的压电基板破裂或严重翘曲现象,同时能够通过调节表面声波谐振器的参数,达到抑制体声波谐振器的横向寄生模态和抑制声波倍频的功效。

技术领域

本实用新型属于谐振器领域,具体涉及一种体声波谐振器与表面声波谐振器的混合式声波谐振器。

背景技术

随着通讯频段的演进,其所需求的频率越来越高,在高频率的需求下,其谐振器需要提供更好的Q值才能减少滤波器的损耗,得到一具更高质量的滤波响应。

各种抑制横向寄生的模态方式众多,传统的整合薄膜体声波谐振器(简称BAW)与表面声波谐振器(简称SAW)的工艺,利用声波基底当作BAW器件的压电层,整合SAW器件于相同基底上,但往往会因为工艺中高温度环境,导致压电基底(例如:LiTaO3)破裂或严重翘曲现象。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是:提供一种体声波谐振器与表面声波谐振器的混合式声波谐振器(Hybrid Acoustic Wave Resonator, HAW Resonator),实现了工艺的整合,避免原工艺中出现的压电基底破裂或严重翘曲现象,同时能够通过调节表面声波谐振器的参数,达到抑制体声波谐振器的横向寄生模态和抑制声波倍频的功效。

本实用新型为解决上述技术问题所采取的技术方案为:一种体声波谐振器与表面声波谐振器的混合式声波谐振器,其特征在于:它包括:由下到上依次设置的基底、底电极、压电层和顶电极,基底与底电极之间形成第一反射层,从而构成体声波谐振器;在同一压电层上形成叉指电极,基底与压电层之间形成第二反射层,从而构成表面声波谐振器。

按上述方案,所述的第一反射层为凸起的空气腔、在基底上刻蚀孔洞形成的空气腔或由高声阻与低声阻材料交叠形成的布拉格反射镜。

按上述方案,所述的第二反射层为凸起的空气腔、在基底上刻蚀孔洞形成的空气腔或由高声阻与低声阻材料交叠形成的布拉格反射镜。

按上述方案,所述的表面声波谐振器中,压电层直接在基底上形成;所述的底电极只存在于所述的体声波谐振器中。

按上述方案,所述的压电层为具有压电特性的材料。

按上述方案,所述的具有压电特性的材料为AlN、AlScN、ZnO、PZT、BST、LiNO3、LiTaO3中的一种。

本实用新型的有益效果为:通过整合工艺,直接在同一压电层上形成体声波谐振器的顶电极和表面声波谐振器的叉指电极,缩减了工艺流程,避免原工艺中出现的压电基底破裂或严重翘曲现象,同时能够通过调节表面声波谐振器的参数,达到抑制体声波谐振器的横向寄生模态和抑制声波倍频的功效。

附图说明

图1为本实用新型实施例一的结构示意图。

图2为本实用新型实施例二的结构示意图。

图3为本实用新型实施例三的结构示意图。

图中:101-顶电极,102-压电层,103-底电极,1041-第一空气腔,1042-第二空气腔,105-基底,106-叉指电极;201-顶电极,202-压电层,203-底电极,2041-第一空气腔,2042-第二空气腔,205-基底,206-叉指电极;301-顶电极,302-压电层,303-底电极,305-基底,306-叉指电极,307-布拉格反射镜。

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