[实用新型]一种柔性基片衬底的异质结构器件有效
| 申请号： | 201820234722.7 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN208189597U | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 李双美;张东;何乔;李关民;王敏 | 申请（专利权）人： | 沈阳工程学院 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/45;H01L29/24;H01L21/34;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/06 |
| 代理公司： | 沈阳铭扬联创知识产权代理事务所(普通合伙) 21241 | 代理人： | 吕敏 |
| 地址： | 110136 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚酰亚胺 抗腐蚀保护层 异质结构器件 导电薄膜层 柔性基片 材料层 衬底 透明导电薄膜 柔性衬底层 材料晶格 衬底基片 导电电极 导电性能 电子器件 规模生产 器件功率 使用寿命 有效解决 电阻率 缓冲层 融合度 失配 蒸镀 制备 薄膜 腐蚀 缓解 | ||
【权利要求书】：
1.一种柔性基片衬底的异质结构器件，其特征在于：从下到上依次包括聚酰亚胺柔性衬底层、第一导电薄膜层、Ga2O3材料层、VO2材料层、第二导电薄膜层及抗腐蚀保护层。
2.根据权利要求1所述的柔性基片衬底的异质结构器件，其特征在于：所述第一导电薄膜层和第二导电薄膜层均为AZO透明导电薄膜层。
3.根据权利要求2所述的柔性基片衬底的异质结构器件，其特征在于：所述AZO透明导电薄膜层厚度为100nm至500nm。
4.根据权利要求1所述的柔性基片衬底的异质结构器件，其特征在于：所述抗腐蚀保护层为TiN抗腐蚀保护层。
5.根据权利要求4所述的柔性基片衬底的异质结构器件，其特征在于：所述TiN抗腐蚀保护层的厚度为200nm至800nm。
6.根据权利要求1所述的柔性基片衬底的异质结构器件，其特征在于：所述Ga2O3材料层的厚度为400-600nm。
7.根据权利要求1所述的柔性基片衬底的异质结构器件，其特征在于：所述VO2材料层的厚度为600-900nm。
8.根据权利要求1所述的柔性基片衬底的异质结构器件，其特征在于：所述聚酰亚胺柔性衬底层的厚度为0.4～1.2mm。
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