[实用新型]一种像素排布结构及相关装置有效
申请号: | 201820235510.0 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN207966994U | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 吴海东;李彦松;周威龙;白珊珊;刘月;肖志慧 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素 虚拟四边形 对角线 像素排布结构 中心位置处 显示器件 相关装置 本实用新型 顶角位置 工艺条件 间距相等 紧密排列 驱动电流 相邻像素 像素开口 像素排布 中点位置 分辨率 侧边 减小 | ||
本实用新型公开了一种像素排布结构及相关装置,第一子像素位于第一虚拟四边形的中心位置处和第一虚拟四边形的四个顶角位置处;第二子像素位于第一虚拟四边形的侧边中点位置处;第三子像素位于第二虚拟四边形内,四个第二虚拟四边形构成一个第一虚拟四边形。位于第一虚拟四边形的中心位置处的第一子像素与位于不同对角线的两个第三子像素之间的最小间距不同,位于同一对角线的两个第三子像素之间的最小间距相等,这种像素排布方式与现有相比,在同等工艺条件下可使第一子像素、第二子像素和第三子像素紧密排列,尽可能的减小相邻像素之间的间距,从而在同等分辨率的条件下增大像素开口面积,降低显示器件的驱动电流,进而增加显示器件的寿命。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素排布结构、有机电致发光显示面板、高精度金属掩模板及显示装置。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器件是当今平板显示器研究领域的热点之一,与液晶显示器相比,OLED显示器件具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点,目前,在手机、PDA、数码相机等平板显示领域,OLED显示器件已经开始取代传统的液晶显示屏(Liquid Crystal Display,LCD)。
OLED显示器件的结构主要包括:衬底基板,制作在衬底基板上呈矩阵排列的像素。其中,各像素一般都是通过有机材料利用蒸镀成膜技术透过高精细金属掩膜板,在阵列基板上的相应的像素位置形成有机电致发光结构。
但是,目前OLED显示器件内,像素排布结构中像素之间的距离较大,导致同等分辨率的条件下,像素开口面积较小,从而需要增大驱动电流才能满足显示的亮度要求。但是OLED在大的驱动电流下工作容易导致器件老化速度增快,从而缩短OLED显示器件的寿命。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例提供了一种像素排布结构、有机电致发光显示面板、高精度金属掩模板及显示装置,用以解决现有OLED器件中存在的像素之间的距离较大的问题。
因此,本实用新型实施例提供了一种像素排布结构,包括:第一子像素,第二子像素和第三子像素;
所述第一子像素位于第一虚拟四边形的中心位置处和所述第一虚拟四边形的四个顶角位置处;
所述第二子像素位于所述第一虚拟四边形的侧边中点位置处;
所述第三子像素位于第二虚拟四边形内,所述第二虚拟四边形由位于所述第一虚拟四边形相邻两个侧边中点位置处的两个所述第二子像素、与该两个所述第二子像素均相邻且分别位于所述第一虚拟四边形的中心位置处和所述第一虚拟四边形的一顶角位置处的所述第一子像素作为顶角顺次相连形成,且四个所述第二虚拟四边形构成一个所述第一虚拟四边形;
在所述第一虚拟四边形内,位于所述第一虚拟四边形的中心位置处的所述第一子像素与位于对角的所述第二虚拟四边形内的两个所述第三子像素之间的最小间距相等且为第一间距;位于所述第一虚拟四边形的中心位置处的所述第一子像素与位于另一对角的所述第二虚拟四边形内的两个所述第三子像素之间的最小间距相等且为第二间距,所述第一间距小于所述第二间距。
在一种可能的实现方式中,在本实用新型实施例提供的上述像素排布结构中,在所述第一虚拟四边形内,位于所述第一虚拟四边形的中心位置处的所述第一子像素与各所述第二子像素之间的最小间距均相等且为第三间距。
在一种可能的实现方式中,在本实用新型实施例提供的上述像素排布结构中,所述第二间距大于所述第三间距,所述第三间距大于所述第一间距。
在一种可能的实现方式中,在本实用新型实施例提供的上述像素排布结构中,所述第二子像素与相邻的四个第三子像素之间的最小间距均相等且等于所述第一间距。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的