[实用新型]一种像素排布结构、高精度金属掩模板及显示装置有效
申请号: | 201820240358.5 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN208000919U | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 刘月;李彦松;张浩瀚;白珊珊;吴海东 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素 六边形 虚拟 像素排布结构 金属掩模板 顶角位置 显示装置 本实用新型 六边形中心 物理分辨率 中心位置处 低分辨率 发光像素 高分辨率 显示效果 交替的 位置处 侧边 | ||
本实用新型公开了一种像素排布结构、高精度金属掩模板及显示装置,其中在像素排布结构中,第二子像素和第三子像素交替的分布于虚拟六边形的顶角位置处,第一子像素位于虚拟六边形的中心位置处,相邻虚拟六边形以共用侧边的方式排列,在显示时,位于虚拟六边形中心位置处的第一子像素可以和位于虚拟六边形的任意相邻两个顶角位置处的第三子像素和第二子像素均组成一个发光像素点,从而子像素之间通过借色原理由低分辨率的物理分辨率实现高分辨率的显示效果。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤指一种像素排布结构、高精度金属掩模板及显示装置。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器件是当今平板显示器研究领域的热点之一,与液晶显示器相比,OLED显示器件具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点,目前,在手机、PDA、数码相机等平板显示领域,OLED显示器件已经开始取代传统的液晶显示屏(Liquid Crystal Display,LCD)。
OLED显示器件的结构主要包括:衬底基板,制作在衬底基板上呈矩阵排列的子像素。其中,各子像素一般都是通过有机材料利用蒸镀成膜技术透过高精度金属掩模板,在阵列基板上的相应的子像素位置形成有机电致发光结构。由于高精度金属掩模板的开口大小直接决定了子像素的尺寸,因此高精度金属掩模板在制备工艺上存在限制,目前传统的RGB像素排布结构很难得到高分辨率的显示器件。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种像素排布结构、高精度金属掩模板及显示装置,用以解决现有技术中存在的显示分辨率低的问题。
本实用新型实施例提供的一种像素排布结构,包括紧密排列的多个重复单元;其中,所述重复单元包括:位于虚拟六边形的中心位置处的第一子像素,交替的分布于所述虚拟六边形的顶角位置处的第二子像素和第三子像素;
且相邻的所述重复单元以共用所述虚拟六边形的一个侧边以及共用位于该侧边的两个子像素的方式紧密排列。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,在所述虚拟六边形内,所述第一子像素与所述第二子像素之间的最小间距等于所述第一子像素与所述第三子像素之间的最小间距。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,在所述虚拟六边形内,各相邻的所述第二子像素与所述第三子像素之间的最小间距相等。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,在所述虚拟六边形内,所述第一子像素与所述第二子像素相对的侧边相互平行。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,在所述虚拟六边形内,所述第一子像素与所述第三子像素相对的侧边相互平行。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,在所述虚拟六边形内,所述第二子像素与相邻所述第三子像素相对的侧边相互平行。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述虚拟六边形为虚拟正六边形。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第一子像素的面积大于所述第二子像素的面积,所述第一子像素的面积大于所述第三子像素的面积。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第二子像素的面积等于所述第三子像素的面积。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第三子像的面积大于所述第二子像素的面积。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第一子像素为红色子像素,所述第二子像素为绿色子像素,所述第三子像素为蓝色子像素。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第一子像素、所述第二子像素以及所述第三子像素的形状均为多边形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的