[实用新型]具有复合电极的电容器器件结构及电容器有效
| 申请号： | 201820246010.7 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN208225875U | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 张国祯;刘昌 | 申请（专利权）人： | 无锡博硕珈睿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 赵俊宏 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容器 复合电极 电容器器件 本实用新型 底电极结构 顶电极结构 抗疲劳特性 顶电极 面电阻 复合电极结构 抗弯曲特性 电学性能 高频损耗 降低器件 连续弯曲 器件阵列 湿法腐蚀 弯曲过程 电极 电容 底电极 可弯曲 分立 光刻 减小 薄膜 裂缝 恢复 | ||
1.一种具有复合电极的电容器器件结构，包括顶电极结构（11）和底电极结构（12），顶电极结构（11）和底电极结构（12）间设置有介质层（4），其特征在于，所述顶电极结构（11）和底电极结构（12）均为复合电极结构，所述的复合电极结构包括底层、顶层和导线层，所述导线层网状分布在所述底层表面，顶层设置在底层上覆盖所述导线层，底层和顶层均为导电氧化物薄膜，导线层与顶层和底层均欧姆连接。
2.如权利要求1所述的具有复合电极的电容器器件结构，其特征在于，所述的顶层通过ALD沉积的方式沉积在设置有导线层的底层上。
3.如权利要求1或2所述的具有复合电极的电容器器件结构，其特征在于，所述的介质层通过ALD沉积方式沉积在底电极的顶层上。
4.如权利要求1所述的具有复合电极的电容器器件结构，其特征在于：介质层（4）为Al2O3、Y2O3、ZrO2、TiO2、Ta2O5中的一层或两层以上的原子层沉积复合层。
5.如权利要求1所述的具有复合电极的电容器器件结构，其特征在于，所述导电氧化物薄膜为AZO或ITO薄膜或二者的原子层沉积复合薄膜。
6.如权利要求1所述的具有复合电极的电容器器件结构，其特征在于：所述介质层（4）的厚度为5～50 nm，所述导电氧化物薄膜的厚度为5-200nm，所述导线层的导线为纳米级柔性导线。
7.如权利要求1或2所述的具有复合电极的电容器器件结构，其特征在于，底电极的底层通过ALD沉积方式沉积在衬底上。
8.如权利要求1所述的具有复合电极的电容器器件结构，其特征在于，所述的导线层中的导线相互导通固定连接成一体。
9.如权利要求1所述的具有复合电极的电容器器件结构，其特征在于，底电极的底层通过ALD沉积方式沉积在衬底上，所述的顶层通过ALD沉积的方式沉积在设置有导线层的底层上，所述的介质层通过ALD沉积方式沉积在底电极的顶层上，所述顶电极的底层通过ALD沉积方式沉积在介质层上。
10.一种电容器，其特征在于：包括权利要求1-9各项之一所述的具有复合电极的电容器器件结构，顶电极进行光刻、湿法腐蚀，形成分立的器件阵列。
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