[实用新型]用于制备石墨烯的电源装置

说明书

本实用新型公开了一种用于制备石墨烯的电源装置，包括第一电源，第二电源，输入开关电路，输出开关电路，第一开关控制电路，第二开关控制电路和单片机；第一电源和第二电源均与输入开关电路输入端电连接，输入开关电路输出端与输出开关电路输入端电连接，输出开关电路包括输出端A和输出端B，第一开关控制电路和第二开关控制电路均与输入开关电路控制端电连接，第一开关控制电路和第二开关控制电路均与单片机电连接。本实用新型具有结构简单、节约成本和能提高石墨烯产量的特点。

技术领域

本实用新型涉及石墨烯制备技术领域，尤其涉及一种结构简单、节约成本和能提高产量的用于制备石墨烯的电源装置。

背景技术

石墨烯是一种原子石墨，由于其二维结构和独特的物理性质，比如高的内在电子迁移率，优异的机械强度、柔韧的弹性和良好的导电性，已经引起了广泛的关注。

现有石墨烯制备方法包括机械剥离法、外延生长法、气相沉积法和氧化还原法等。机械剥离法和外延生长法制备的石墨烯虽具有高品质性，但产量低，制备成本太高；近期用催化金属基底的化学气相沉积法的研究取得很大进展，以显示出大面积石墨烯能使容量增加，扩大了它在高度透明和灵活的导电薄膜上的应用，但同样制备价格昂贵；通过化学或热还原的氧化化学剥离方法制备石墨烯，虽由于潜在的低成本和液相加工制造的优点已引起大家关注，然而，石墨烯在氧化过程中蜂窝状晶格结构受到严重破坏，得到的膜电阻阻值太高，远高于ITO的要求。为了克服上述技术缺陷，需要提供一种可产业化的低成本的石墨烯制备装置。

实用新型内容

本实用新型是为了克服现有技术中，现有的石墨烯制备装置结构复杂、制作成本高，且产量低的问题，提供了一种结构简单、节约成本和能提高产量的用于制备石墨烯的电源装置。

为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种用于制备石墨烯的电源装置，包括第一电源，第二电源，输入开关电路，输出开关电路，第一开关控制电路，第二开关控制电路和单片机；第一电源和第二电源均与输入开关电路输入端电连接，输入开关电路输出端与输出开关电路输入端电连接，输出开关电路包括输出端A和输出端B，第一开关控制电路和第二开关控制电路均与输入开关电路控制端电连接，第一开关控制电路和第二开关控制电路均与单片机电连接。

本实用新型能够输出幅值与占空比可调的方波，缓解石墨烯剥离的氧化情况，对于石墨烯规模化生产具有积极的意义。本实用新型具有结构简单、节约成本和能提高石墨烯产量的特点。

作为优选，输入开关电路包括MOS管Min1和MOS管Min2，MOS管Min1的源极与第一电源电连接，MOS管Min1的栅极与第一开关控制电路电连接，MOS管Min2的源极与第二电源电连接，MOS管Min2的栅极与第一开关控制电路电连接，输出开关电路的输入端分别与MOS管Min1的漏极与MOS管Min2的漏极电连接。第一开关控制电路控制MOS管Min1或MOS管Min2的通断，使得分别与MOS管Min1或MOS管Min2连接的第一电源电路或第二电源电路导通。MOS管Min1和MOS管Min2均为P沟道MOS管。

作为优选，输出开关电路包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4，输入开关电路的输出端分别与MOS管M1的源极和MOS管M3的源极电连接，MOS管M1的漏极与MOS管M2的漏极电连接，MOS管M2的源极接地，MOS管M3的漏极与MOS管M4的漏极电连接，MOS管M4的源极接地，MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4的栅极均与第二开关控制电路电连接。第二开关控制电路控制MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4的通断，使得输出端A和输出端B之间形成正电压或负电压。MOS管M1和MOS管M3均为P沟道MOS管，MOS管M2和MOS管M4均为N沟道MOS管。