[实用新型]阵列基板、显示面板、显示装置有效
申请号: | 201820248516.1 | 申请日: | 2018-02-11 |
公开(公告)号: | CN207834303U | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 张阿猛;谢学武;艾雨;孙诗;刘浩;刘博文;孔玉宝 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 刘延喜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列基板 透镜结构 电极层 辅助电极层 本实用新型 显示面板 显示装置 电连接 导电性 反射效果 亮度均衡 电阻 | ||
本实用新型提供了一种阵列基板、显示面板、显示装置,所述阵列基板包括电极层和辅助电极层,所述电极层与辅助电极层之间设有若干透镜结构,所述透镜结构具有导电性,所述电极层与所述透镜结构电连接,所述辅助电极层与所述透镜结构电连接。本实用新型可降低现有电极层的电阻,使阵列基板的显示亮度均衡,减少阵列基板的反射效果。
技术领域
本实用新型涉及显示技术,尤其是一种阵列基板、显示面板、显示装置。
背景技术
大尺寸平板显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有的平板显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display,LCD)及有机电致发光显示器件(Organic Light Emitting Display,OLED)。
OLED显示器件由于同时具备自发光、不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造以及制程较简单等优异特性,具有很好的应用前景和很大的市场空间。OLED器件通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。当空穴穿过空穴注入/传输层,电子穿过电子注入/传输层时,空穴和电子相遇复合,产生能量,释放出光子,形成发光层。
随着时代的发展,技术水平生活水平的提高,人们对于大尺寸OLED显示器的需求越来越高。但是当显示器的尺寸越来越大时,所述阴极的电阻也越来越大;而且,由于阴极是在蒸镀的制程中用金属材料整面蒸在背板上,由此导致阴极面板中心的电阻比面板边缘更高,且面板中心的电阻压降(IR Drop)较高,使得面板中心的亮度较边缘亮度低,由此导致整个面板的亮度不均一性,从而制约了大尺寸OLED显示器的发展。
实用新型内容
本实用新型的目的旨在至少解决上述技术缺陷之一,特别是减小电极层的平面电阻压降,从而解决阵列基板的亮度不均匀的问题。
本实用新型提供了一种阵列基板,包括电极层和辅助电极层,所述电极层与辅助电极层之间设有若干透镜结构,所述透镜结构具有导电性,所述电极层与所述透镜结构电连接,所述辅助电极层与所述透镜结构电连接。
优选地,所述透镜结构为透明弹性球状颗粒。
优选地,所述透镜结构包括球状树脂和包覆于所述球状树脂外的透明导电薄膜。
优选地,所述阵列基板还包括由填料形成的填充层,所述填充层设于所述电极层与所述辅助电极层之间,所述透镜结构掺杂于所述填充层内。
优选地,所述球状树脂的折射率大于所述填料的折射率。
进一步地,所述填料包括绝缘透明胶材。
进一步地,所述球状树脂的折射率为1.4-1.6。
进一步地,所述透明导电薄膜为ITO薄膜。
优选地,所述辅助电极层为ITO层。
优选地,所述阵列基板还包括第一基板和设于所述第一基板上的TFT电路层,所述电极层设置于所述TFT电路层远离所述第一基板的一侧;所述电极层与所述TFT电路层之间设有发光层。
本实用新型还提出一种显示面板,其包括前述任一项所述的阵列基板。
优选地,所述显示面板还包括彩膜结构,所述彩膜结构包括第二基板、设于所述第二基板一侧的彩膜层、设于所述彩膜层上远离所述第二基板一侧的保护层,所述辅助电极层设于所述保护层上,且位于远离所述第二基板的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的