[实用新型]瞬态电压抑制器

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制器，其中，包括：

第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底作为第二电极引出；

第一掺杂类型的第二外延层，设置于所述半导体衬底的第一表面之上；

第二掺杂类型的第一埋层，从所述半导体衬底的第一表面向所述半导体衬底内延伸，所述第一埋层包括第一部分和第二部分；

第一掺杂类型的第二埋层，包括第一部分和第二部分，所述第二埋层的第一部分从所述半导体衬底的第一表面向所述半导体衬底内延伸，所述第二埋层的第二部分从所述第一埋层的第一部分向所述第一埋层内延伸；

第二掺杂类型的第一隔离区，所述第一隔离区从所述第二外延层的上表面向所述第二外延层内延伸，所述第一隔离区的一部分与所述第一埋层的第一部分相连以在所述第二外延层内限定出第一隔离岛，所述第一隔离区的另一部分与所述第一埋层的第二部分相连以在所述第二外延层内限定出第二隔离岛；

第一掺杂类型的第二隔离区，所述第二隔离区从所述第二外延层的上表面向所述第二外延层内延伸，所述第二隔离区的一部分与所述第二埋层的第二部分相连以在所述第一隔离岛内限定出所述第二外延层的第三隔离岛，所述第二隔离区的另一部分与所述第二埋层的第一部分相连；

第二掺杂类型的第一阱区，所述第一阱区包括第一部分和第二部分，所述第一阱区的第一部分从所述第二外延层的上表面向所述第三隔离岛内延伸，所述第一阱区的第二部分从所述第二外延层的上表面向所述第二外延层内延伸并通过所述第一隔离区将所述第一埋层的第一部分和所述第一埋层的第二部分电相连，所述第一阱区的第二部分与所述第二隔离区的第二部分接触；以及

第一掺杂类型的第二阱区，从所述第二外延层的上表面延伸至所述第二隔离岛内，所述第二阱区与所述第一阱区的第一部分电相连并作为第一电极引出。

2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其中，所述第二埋层的第一部分位于所述第一埋层的第一部分和第二部分之间。

3.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其中，所述第二隔离区沿所述第一隔离岛和所述第一隔离区之间的接触面从所述第二外延层的上表面向所述第二外延层内延伸以形成所述第三隔离岛。

4.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其中，所述瞬态电压抑制器还包括金属层，

所述金属层设置于所述半导体衬底的第二表面，所述半导体衬底的所述第一表面和所述第二表面彼此相对。

5.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其中，所述瞬态电压抑制器还包括：

绝缘层，位于所述第二外延层的上表面，并在所述第一阱区的第一部分、所述第二阱区的对应位置处设有接触孔；

电极引线，通过所述接触孔将所述第一阱区的第一部分和第二阱区电相连以引出所述第一电极。

6.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其中，所述半导体衬底的第一表面预先生长有第一掺杂类型的第一外延层，所述第一外延层作为牺牲层。

7.根据权利要求6所述的瞬态电压抑制器，其中，所述半导体衬底的电阻率小于0.02Ω·cm，所述第一外延层的电阻率不小于0.1Ω·cm。

8.根据权利要求6所述的瞬态电压抑制器，其中，所述第二外延层的掺杂浓度小于所述第一外延层的掺杂浓度。

9.根据权利要求6所述的瞬态电压抑制器，其中，所述第一外延层的厚度不小于3μm，所述第二外延层的厚度不小于5μm。

10.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其中，所述第一埋层的注入剂量不小于E14cm^-2数量级，所述第二埋层的掺杂浓度不小于E19cm^-3数量级，所述第一隔离区的掺杂浓度不小于E18cm^-3数量级，所述第二隔离区的掺杂浓度不小于E18cm^-3数量级，所述第一阱区的掺杂浓度不小于E19cm^-3数量级，所述第二阱区的注入剂量不小于E14cm^-2数量级。

11.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其中，所述第一掺杂类型为N型或P型，所述第二掺杂类型为N型或P型中的另一个。