[实用新型]一种石墨导流筒装置、锥形热场及单晶炉有效

专利信息
申请号: 201820255779.5 申请日: 2018-02-13
公开(公告)号: CN207919016U 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 潘清跃;姜宏伟 申请(专利权)人: 南京晶能半导体科技有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 张弛
地址: 210000 江苏省南京市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 内顶 内筒 石墨导流筒 内衬套 本实用新型 取出 承载 单晶炉 导流筒 热场 安装方式 便于安装 向下延伸 嵌套的 减小 突台 拆卸 挂靠 保证
【说明书】:

实用新型公开了一种石墨导流筒装置,其中导流筒包括锥形内顶、承载于锥形内顶底部并向下延伸的内筒、承载于内筒底部的锥内衬套;锥形内顶、内筒、锥内衬套三个部分通过“突台挂靠在承载部”的方式进行安装,实现嵌套的安装方式,便于安装及拆卸,同时安装精度也能够得到保证。通过该种结构,在需要对导流筒清理时,可以先将位于下方的锥内衬套先吊取出,再将内筒吊取出,最后将锥形内顶吊取出,分成三部分吊取减小了每次吊取作业的难度,便于实现清理作业。本实用新型也提供了包含上述石墨导流筒装置的锥形热场及单晶炉。

技术领域

本实用新型涉及单晶炉技术领域,具体为一种石墨导流筒装置。同时也涉及锥形热场及单晶炉。

背景技术

单晶硅是具有基本完整的点阵结构的晶体,是一种良好的半导体材料,纯度可达到99.9999999%以上,可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造,其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域,在军事电子设备中也占有重要地位,处于新材料发展的前沿。

半导体级硅单晶炉是单晶硅产业链中重要的晶体生长设备,由于半导体级硅单晶体是在高温的条件下缓慢生长而成的,需要较大的温度梯度控制形成冷心实现晶体的快速生长,同时需要高纯炉内环境以实现半导体级单晶体的稳定生长,由于晶体受杂质污染会导致纯度较低,因此位于硅单晶炉炉内拉晶位置的石墨导流筒内的洁净度则非常关键。导流筒需要定期进行清洁以保持筒内环境清洁无杂质。但由于导流筒的体积较大,从单晶炉中的将导流筒取出十分困难。同时也因为导流筒体积大,对导流筒的清洁也十分不便。

故,需要一种新的技术方案以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于:提供一种便于拆卸的导流筒装置,同时组装时精度可以得到保证。

本实用新型同时提供一种包含上述导流筒装置的锥形热场。

本实用新型同时提供一种包含上述锥形热场的单晶炉。

为达到上述目的,本实用新型导流筒装置可采用如下技术方案:

一种石墨导流筒装置,包括上支撑板、位于上支撑板下方的中部支撑盘、承载于上支撑板上的锥形内顶、承载于锥形内顶底部并向下延伸的内筒、承载于内筒底部的锥内衬套、位于锥内衬套底部并承载锥内衬套底部的底部支撑件、承载于中部支撑盘上并向下延伸的外衬套;锥形内顶向下贯穿上支撑板及中部支撑盘;所述上支撑板中间设有第一圆形开口;中部支撑盘中间设有第二圆形开口;所述锥形内顶为中空的,锥形内顶包括倒圆台形外壁,该外壁顶部外缘向外突出第一突台,且第一突台以挂靠方式承载于上支撑板的第一圆形开口侧缘上,锥形内顶通过第一圆形开口向下延伸;所述锥形内顶的底部向内突设有第一承载部,所述内筒的顶部设有向外突出有第二突台,且第二突台位于锥形内顶内并以挂靠方式承载于第一承载部上;所述锥内衬套为倒圆台形的中空套体;内筒的底部向内突设有第二承载部,所述锥内衬套的顶部设有向外突出有第三突台,且第三突台位于内筒内并以挂靠方式承载于第二承载部上。

有益效果:本实用新型中的导流筒装置,将原导流筒分成锥形内顶、承载于锥形内顶底部并向下延伸的内筒、承载于内筒底部的锥内衬套三个部分自上而下依次连接,且各部分通过“突台挂靠在承载部”的方式进行安装,实现嵌套的安装方式,便于安装及拆卸,同时安装精度也能够得到保证。通过该种结构,在需要对导流筒清理时,可以先将位于下方的锥内衬套先吊取出,再将内筒吊取出,最后将锥形内顶吊取出,分成三部分吊取减小了每次吊取作业的难度,便于实现清理作业。

进一步的,还设有连接固定上支撑板与中部支撑盘的连接件,所述连接件自上而下设置,且连接件的上端与上支撑板固定,连接件的下端与中部支撑盘固定。该连接件使整体结构安装完成后将上支撑板与中部支撑盘固定住从而形成整体结构的固定。

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