[实用新型]陶瓷天线馈入孔绝缘结构有效
申请号: | 201820256682.6 | 申请日: | 2018-02-13 |
公开(公告)号: | CN207977454U | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 林若南;杨才毅 | 申请(专利权)人: | 陶格斯集团有限公司;锐锋股份有限公司;锐锋工业股份有限公司 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 刘淑敏 |
地址: | 爱尔兰维克斯福德爱尼斯*** | 国省代码: | 爱尔兰;IE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 天线 介质层 通孔 馈入组件 导电层组 绝缘结构 陶瓷天线 馈入孔 本实用新型 第二导电层 第一导电层 铜轴电缆 阻抗特性 导电层 堆叠 馈入 失配 配置 | ||
1.一种陶瓷天线馈入孔绝缘结构,其特征在于,包括:
一第一天线,该第一天线上具有一第一基体,该第一基体的表面具有一第一辐射金属层,该第一基体的底面具有一接地金属层,该第一基体上具有贯穿该第一基体、该第一辐射金属层及该接地金属层的一第一通孔、一第二通孔及一第三通孔,于该第一天线上具有一第一馈入组件,该第一馈入组件与该第一辐射金属层电性连接后,再穿过该第一基体的该第三通孔,该第一馈入组件穿过该第一基体底面不与该接地金属层电性连接;
一第二天线,该第二天线上具有一第二基体,该第二基体配置于该第一基体的第一辐射金属层的表面上,于该第二基体表面上具有一第二辐射金属层,该第二基体上具有贯穿该第二基体、该第二辐射金属层的一第四通孔及一第五通孔,该第四通孔及该第五通孔对应该第一基体的第一通孔及该第二通孔,该第二天线具有一第二馈入组件,该第二馈入组件与该第二辐射金属层电性连接后,再穿过该第五通孔与该第一基体的第二通孔,该第二馈入组件再穿过该第一基体底面外部不与该接地金属层电性连接;
一第三天线,该第三天线上具有一第三基体,该第三基体配置于该第二基体的第二辐射金属层的表面上,于该第三基体表面上具有一第三辐射金属层,该第三基体上具有贯穿该第三基体及该第三辐射金属层的第六通孔,该第六通孔对应该第二基体的第四通孔及该第一基体的第一通孔,该第三天线具有一第三馈入组件,该第三馈入组件与第三辐射金属层电性连接后,分别穿过该第六通孔、该第二基体的第四通孔及该第一基体的第一通孔,并且该第三馈入组件穿过该第一基体底面外部不与该接地金属层电性连接;
一导电层组,是由一第一导电层、一第二导电层及一第三导电层组成,该第一导电层设置于该第一基体的第一通孔及该第二基体的第四通孔的孔壁上,并与该接地金属层电性连接;该第二导电层设置于该第一基体的第二通孔的孔壁上,并与该接地金属层电性连接;该第三导电层设置于该第三通孔的孔壁上,并与该接地金属层电性连接;
一介质层组,是由一第一介质层、一第二介质层及一第三介质层组成,该第一介质层配置于该第一导电层中,该第一介质层具有一第一穿孔,该第一穿孔供该第三馈入组件穿过,该第二介质层配置于该第二导电层中,该第二介质层具有一第二穿孔,该第二穿孔供该第二馈入组件穿过,该第三介质层配置于该第三导电层中,该第三介质层具有一第三穿孔,该第三穿孔供该第一馈入组件穿过;
其中,以该介质层组配置于该导电层组与该第一馈入组件、该第二馈入组件及该第三馈入组件之间,以形成具有铜轴电缆的特性。
2.如权利要求1所述的陶瓷天线馈入孔绝缘结构,其特征在于,其中,该第三馈入组件呈T形状,该第三馈入组件具有一头部,该头部延伸一杆体。
3.如权利要求1所述的陶瓷天线馈入孔绝缘结构,其特征在于,其中,该第二基体的面积小于该第一辐射金属层的面积,在该第二基体配置于该第一辐射金属层的表面时,使该第一辐射金属层外露。
4.如权利要求1所述的陶瓷天线馈入孔绝缘结构,其特征在于,其中,该第三基体的面积小于该第二辐射金属层的面积,在该第三基体配置于该第二辐射金属层的表面时,使该第二辐射金属层外露。
5.如权利要求1所述的陶瓷天线馈入孔绝缘结构,其特征在于,其中,该第一基体、该第二基体及该第三基体为陶瓷介质材料制成的扁形的板状体或块状体。
6.如权利要求1所述的陶瓷天线馈入孔绝缘结构,其特征在于,其中,该第一导电层、该第二导电层及该第三导电层为铜环。
7.如权利要求1所述的陶瓷天线馈入孔绝缘结构,其特征在于,其中,该第一介质层、该第二介质层及该第三介质层为铁氟龙。
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