[实用新型]五孔式的三堆叠天线结构

权利要求书

1.一种五孔式的三堆叠天线结构，电性连接于电子设备的电路板上，其特征在于，包括：

一第一天线，该第一天线上具有一第一基体，该第一基体的表面具有一第一辐射金属层，该第一基体的底面具有一接地金属层，该第一基体上开设有一第一通孔、一第二通孔、一第三通孔、一第四通孔及第五通孔，该第一通孔、该第二通孔、该第三通孔、该第四通孔及该第五通孔贯通该第一基体、第一辐射金属层及该接地金属层；

一第二天线，该第二天线上具有一第二基体，该第二基体配置于该第一基体的第一辐射金属层的表面上；于该第二基体表面上具有一第二辐射金属层，该第二基体上设有贯穿该第二基体及该第二辐射金属层的一第六通孔、一第七通孔及一第八通孔，该第六通孔、该第七通孔及该第八通孔分别对应该第一基体的该第一通孔、该第二通孔及该第三通孔；

一第三天线，该第三天线上具有一第三基体，该第三基体配置于该第二基体的第二辐射金属层的表面上；于该第三基体表面上具有一第三辐射金属层，该第三基体上设有贯穿该第三基体及该第三辐射金属层的一第九通孔，该第九通孔对应该第二基体的第八通孔及该第一基体的第三通孔；该第三天线还包含有一第一馈入组件，该第一馈入组件呈T形状，该第一馈入组件具有一头部，该头部延伸一杆体，该第一馈入组件穿过该第三基体的第九通孔、该第二基体的第八通孔及该第一基体的第三通孔至该第一基体的底面外部；

其中，在该第一馈入组件穿过该第九通孔时与该第三辐射金属层电性连接，在该第一馈入组件穿过该第二基体的第八通孔时与该第二辐射金属层形成耦合连接，在该第一馈入组件穿过该第三通孔时与该第一基体上的第一辐射金属层形成耦合连接，在该第一馈入组件穿过第一基体底面外部时不与该接地金属层电性连接，以形成单馈入的五孔式的三堆叠天线结构。

2.如权利要求1所述的五孔式的三堆叠天线结构，其特征在于，其中，该第二基体的面积小于该第一辐射金属层的面积，在该第二基体配置于该第一辐射金属层的表面时，使该第一辐射金属层外露。

3.如权利要求1所述的五孔式的三堆叠天线结构，其特征在于，其中，该第三基体的面积小于该第二辐射金属层的面积，在该第三基体配置于该第二辐射金属层的表面时，使该第二辐射金属层外露。

4.一种五孔式的三堆叠天线结构，电性连接于电子设备的电路板上，其特征在于，包括：

一第一天线，该第一天线上具有一第一基体，该第一基体的表面具有一第一辐射金属层，该第一基体的底面具有一接地金属层，该第一基体上开设有一第一通孔、一第二通孔、一第三通孔、一第四通孔及一第五通孔，该第一通孔、该第二通孔、该第三通孔、该第四通孔及该第五通孔贯通该第一基体、第一辐射金属层及该接地金属层；

一第二天线，该第二天线上具有一第二基体，该第二基体配置于该第一基体的第一辐射金属层的表面上；于该第二基体表面上具有一第二辐射金属层，该第二基体上设有贯穿该第二基体及该第二辐射金属层的一第六通孔、一第七通孔及一第八通孔，该第六通孔、该第七通孔及该第八通孔分别对应该第一基体的该第一通孔、该第二通孔及该第三通孔；该第二天线包含有一第二馈入组件，该第二馈入组件穿过该第七通孔与该第二辐射金属层电性连接，再穿过该第一基体的第二通孔；

一第三天线，该第三天线上具有一第三基体，该第三基体配置于该第二基体的第二辐射金属层的表面上；于该第三基体表面上具有一第三辐射金属层，该第三基体上设有贯穿该第三基体及该第三辐射金属层的一第九通孔，该第九通孔对应该第二基体的第八通孔及该第一基体的第三通孔；该第三天线还包含有一第一馈入组件，该第一馈入组件呈T形状，该第一馈入组件具有一头部，该头部延伸一杆体，该第一馈入组件穿过该第三基体的第九通孔、该第二基体的第八通孔及该第一基体的第三通孔至该第一基体的底面外部；

其中，该第二馈入组件在穿过第二基体的第七通孔与该第二辐射金属层电性连接，再穿过该第一基体的第二通孔与该第一辐射金属层形成耦合连接，该第一馈入组件穿过该第九通孔时与该第三辐射金属层电性连接，在该第一馈入组件穿过该第二基体时与该第二辐射金属层形成耦合连接，在该第一馈入组件穿过该第三通孔时与该第一基体上的第一辐射金属层形成耦合连接，在该第二馈入组件及该第一馈入组件穿过第一基体底面外部时不与该接地金属层电性连接，以形成双馈入的五孔式的三堆叠天线结构。