[实用新型]一种PVT法单晶生长炉

权利要求书

1.一种PVT法单晶生长炉，其特征在于：包括炉体和安瓿，所述炉体包括保温套和加热装置，所述安瓿伸入所述保温套的内侧，所述保温套内侧分为上温区和下温区，所述加热装置包括分别对应所述上温区和所述下温区设置的上加热件和下加热件，所述下加热件为电磁感应加热件。

2.根据权利要求1所述的PVT法单晶生长炉，其特征在于：所述下加热件包括感应线圈和发热件，所述感应线圈设置于所述保温套内且可外部通电，所述发热件位于所述安瓿内侧，并于对应所述感应线圈的位置处设置。

3.根据权利要求2所述的PVT法单晶生长炉，其特征在于：所述发热件包括石墨和石英衬底，所述石英衬底密封所述石墨，所述石英衬底的下端设有沿所述安瓿长度方向设置的石英支柱。

4.根据权利要求1所述的PVT法单晶生长炉，其特征在于：所述安瓿自上而下依次分为料源区和生长区，所述料源区位于所述上温区内，所述上加热件在对应所述料源区处的设置比其对应所述生长区处的设置密集。

5.根据权利要求4所述的PVT法单晶生长炉，其特征在于：所述上加热件为电炉丝。

6.根据权利要求1所述的PVT法单晶生长炉，其特征在于：所述炉体还包括将所述保温套内侧分为所述上温区和所述下温区的隔热板，所述隔热板沿所述保温套的横截面方向贯穿所述保温套与所述安瓿的外壁连接。

7.根据权利要求6所述的PVT法单晶生长炉，其特征在于：所述隔热板由陶瓷材料制成，且厚度为4-7cm。

8.根据权利要求7所述的PVT法单晶生长炉，其特征在于：所说保温套的底端设有防风隔板，所述防风隔板与所述安瓿连接。

9.根据权利要求1所述的PVT法单晶生长炉，其特征在于：还包括真空系统，所述真空系统包括真空机组、密封圈和法兰，所述安瓿的底部通过所述密封圈与所述法兰连接，且所述真空机组与所述安瓿的底端连接。