[实用新型]一种像素结构及阵列基板有效
申请号: | 201820271972.8 | 申请日: | 2018-02-26 |
公开(公告)号: | CN208156379U | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 李泽尧 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子开关器件 像素电极 像素结构 电性连接 子像素电极区域 像素电极区域 透过率 画面品质 显示色彩 有效减少 阵列基板 开口率 数据线 栅极线 相异 申请 | ||
本申请提供了一种像素结构及阵列基板,所述像素结构包括:一个电子开关器件;像素电极,与所述电子开关器件电性连接,所述像素电极包括多个子像素电极区域,不同的所述子像素电极区域的透过率相异;栅极线,设置于所述像素电极的一侧,与所述电子开关器件电性连接;以及数据线,设置于所述像素电极的另一侧,与所述电子开关器件电性连接。本申请通过提供一种仅包括一个电子开关器件的像素结构,并将像素电极划分为多个子像素电极区域,使不同的子像素电极区域的透过率不同,可以有效减少显示色彩偏差并提高开口率,从而提高画面品质。
技术领域
本申请属于显示技术领域,尤其涉及一种像素结构及阵列基板。
背景技术
随着科学技术的不断发展,各种显示装置层出不穷,为人们的生产和生活带来了极大便利。例如,TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器,thin film transistor-liquidcrystal display)。通常采用多畴像素电极结构,来使液晶分子在配向后沿多个不同的方向倾斜,从而有效提高背光的透过率,可以适用于广视角显示装置,解决广视角显示装置的色偏现象。
然而,采用多畴像素电极结构时,通常需要依靠多个薄膜晶体管对像素电极的不同区域分别进行开关控制,多个薄膜晶体管会占用较多的像素面积,从而降低整个显示装置的开口率,开口率的降低会降低显示装置的画面品质。
实用新型内容
有鉴于此,本申请实施例提供了一种像素结构及阵列基板,以解决采用多畴像素电极结构时,通常需要依靠多个薄膜晶体管对像素电极的不同区域分别进行开关控制,多个薄膜晶体管会占用较多的像素面积,从而降低整个显示装置的开口率,开口率的降低会降低显示装置的显示效果的问题。
本申请实施例提供了一种像素结构,其包括:
一个电子开关器件;
像素电极,与所述电子开关器件电性连接,所述像素电极包括多个子像素电极区域,所述多个子像素电极区域的透过率相异;
栅极线,设置于所述像素电极的一侧,与所述电子开关器件电性连接;以及
数据线,设置于所述像素电极的另一侧,与所述电子开关器件电性连接。
在一个实施例中,所述子像素电极区域包括:
封闭式电极线边框,由多条边框电极线首尾连接构成,相邻的所述子像素电极区域共用一条边框电极线;以及
多条取向电极线,倾斜设置在所述封闭式电极线边框中,所述多条取向电极线相互平行、线间距相同且线宽相同。
在一个实施例中,所述多个子像素电极区域中的若干子像素电极区域构成所述像素电极的主区域,剩余子像素电极区域构成所述像素电极的分区域;
其中,所述主区域中的所有子像素电极区域相互邻接,所述分区域中的所有子像素电极区域相互邻接,所述主区域中的取向电极线的线宽大于所述分区域中的取向电极线的线宽。
在一个实施例中,位于所述主区域和所述分区域交界处的边框电极线上开有狭缝。
在一个实施例中,所述主区域包括的子像素电极区域的数量等于所述分区域的子像素电极区域的数量。
在一个实施例中,相邻的所述子像素电极区域中的取向电极线以共用的边框电极线为对称轴对称分布。
在一个实施例中,所述像素电极包括的子像素电极区域的数量大于或等于四个。
在一个实施例中,所述一个电子开关器件包括栅极、漏极、源极和有源层,所述有源层设置在所述栅极与所述漏极和所述源极之间;
所述像素电极与所述漏极电性连接,所述栅极线与所述栅极电性连接,所述数据线与所述源极电性连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司,未经惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820271972.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。