[实用新型]显示装置有效
申请号: | 201820274692.2 | 申请日: | 2018-02-27 |
公开(公告)号: | CN207896094U | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 松浦由纪 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一端部 显示区域 显示装置 无机膜 第二端部 绝缘基板 显示元件 有机膜 本实用新型 非显示区域 | ||
1.显示装置,其具备:
绝缘基板;
设置于所述绝缘基板之上、且位于显示区域的显示元件;
设置于所述显示元件之上、且在所述显示区域的外侧的非显示区域处具有第一端部的第一无机膜;
设置于所述第一无机膜之上的第一有机膜;和
设置于所述第一有机膜之上、且具有与所述第一端部接触的第二端部的第二无机膜,
其中,所述第一端部具有倾斜的第一斜面,
所述第二端部具有位于与所述第一斜面相比靠所述显示区域侧的第二斜面,
所述第一斜面的第一倾斜角与所述第二斜面的第二倾斜角不同。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一倾斜角小于所述第二倾斜角。
3.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一无机膜的氢浓度大于所述第二无机膜的氢浓度。
4.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一无机膜及所述第二无机膜至少包含氮化硅层。
5.如权利要求4所述的显示装置,其中,所述第一无机膜及所述第二无机膜中的至少一者包含位于所述氮化硅层与所述第一有机膜之间的氧化硅层。
6.如权利要求5所述的显示装置,其中,所述氧化硅层比所述氮化硅层薄。
7.如权利要求1至6中任一项所述的显示装置,其还具备设置于所述第二无机膜之上、且使所述第一斜面及所述第二斜面露出的第二有机膜。
8.如权利要求1至6中任一项所述的显示装置,其还具备与所述第一斜面及所述第二斜面接触的树脂层。
9.如权利要求1至6中任一项所述的显示装置,其还具备设置于所述第二无机膜之上、且与所述第二斜面及所述第一斜面接触的布线。
10.如权利要求9所述的显示装置,其中,所述绝缘基板具备与所述布线连接的端子。
11.显示装置,其具备:
绝缘基板;
设置于所述绝缘基板之上、且位于显示区域的显示元件;
设置于所述显示元件之上、且在围绕所述显示区域的非显示区域处具有第一端部的第一无机膜;
设置于所述第一无机膜之上的第一有机膜;和
设置于所述第一有机膜之上、且具有与所述第一端部接触的第二端部的第二无机膜,
其中,所述第一端部具有形成第一斜面的第一区域,
所述第二端部具有形成第二斜面的第二区域,
所述第一无机膜的厚度相对于所述第一区域的长度的第一比与所述第二无机膜的厚度相对于所述第二区域的长度的第二比不同。
12.如权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一比小于所述第二比。
13.如权利要求11或12所述的显示装置,其还具备设置于所述第二无机膜之上的第二有机膜,
其中,所述第一区域是较之所述第二无机膜而言远离所述显示区域的所述第一无机膜的区域,
所述第二区域是较之所述第二有机膜而言远离所述显示区域的所述第二无机膜的区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的