[实用新型]红外成像探测LED深紫外通讯设备有效
申请号: | 201820277937.7 | 申请日: | 2018-02-26 |
公开(公告)号: | CN207869111U | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 汤德明 | 申请(专利权)人: | 深圳中电南方电力设备股份有限公司 |
主分类号: | H04B10/40 | 分类号: | H04B10/40 |
代理公司: | 深圳市中联专利代理有限公司 44274 | 代理人: | 李俊 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华新区龙华办*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 深紫外LED 发射模块 阵列发射 红外成像探测 通讯设备 光源 复合抛物面聚光镜 复合抛物面聚光器 发射装置 光学整形系统 深紫外探测器 信号发射电路 阵列封装技术 本实用新型 长距离传输 接收灵敏度 深紫外光源 紫外光 二次配光 高效驱动 光学设计 接收模块 陶瓷基板 稳定通信 系统模块 阵列透镜 阵列芯片 紫外通信 高光效 小功率 单点 光效 准直 调制 扩散 | ||
1.一种红外成像探测LED深紫外通讯设备,其包括深紫外通信系统模块,深紫外LED阵列发射模块,深紫外接收模块,深紫外探测器;深紫外通信系统模块包括多阶散射信道的积分模块,多阶散射信道模块,远距离多阶散射信模块;多阶散射信道的积分模块包括两阶散射装置,三阶散射装置;多阶散射信道模块包括小发散角情形二阶散射装置,小发散角情形汤阶散射装置;其特征在于:深紫外LED阵列发射模块包括发射模块主体,安装在发射模块主体内部的深紫外LED阵列芯片;所述发射模块主体包括安装在深紫外LED阵列芯片后面的陶瓷基板,安装在陶瓷基板后面的信号发射电路,安装在深紫外LED阵列芯片前面的二次配光阵列透镜,安装在二次配光阵列透镜前面的光学整形系统。
2.根据权利要求1所述的红外成像探测LED深紫外通讯设备,其特征在于:所述深紫外接收模块包括接收模块主体,安装在接收模块主体内部的光电倍增阵列管;所述接收模块主体包括安装在光电倍增阵列管后面的接收基板,安装在接收基板后面的信号放大电路,安装在光电倍增阵列管前面的复合抛物面聚光镜。
3.根据权利要求2所述的红外成像探测LED深紫外通讯设备,其特征在于:所述复合抛物面聚光镜是采用复合抛物面聚光器(CPC)构成。
4.根据权利要求2所述的红外成像探测LED深紫外通讯设备,其特征在于:所述深紫外探测器包括光电倍增管(PMT),雪崩二极管(APD);光电倍增管(PMT)与雪崩二极管(APD)采用COB封装方式而构成。
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