[实用新型]一种虚拟现实用高清晰度光电显示装置有效
申请号: | 201820282696.5 | 申请日: | 2018-02-28 |
公开(公告)号: | CN208093562U | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 晋泽良 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽省芜*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光层 衬底 光电显示装置 薄膜封装层 驱动电路层 对角排列 虚拟现实 像素 透明玻璃盖板 本实用新型 蓝光子像素 玻璃盖板 光电显示 封装胶 子像素 光子 贴合 | ||
本实用新型涉及光电显示技术领域,具体为一种虚拟现实用高清晰度光电显示装置,包括衬底(1),其特征在于:所述衬底(1)上设置有驱动电路层(2),所述驱动电路层(2)上的形成有发光层(3),所述发光层(3)上形成有薄膜封装层(4)、所述薄膜封装层(4)上设置与所述衬底(1)相贴合的透明玻璃盖板(5),所述的玻璃盖板(5)与衬底(1)用紫外封装胶(6)相连,所述像发光层(3)包括若干个子像素(300)组成,每个子像素(300)由两个对角排列蓝光子像素发光层(301)和两个对角排列橙光子像素发光层(302)所组成。
技术领域
本实用新型涉及光电显示技术领域,具体为一种虚拟现实用高清晰度光电显示装置。
背景技术
目前使用最多的显示装置是液晶显示器。虽然常见的液晶显示器取代阴极射线显示获得了巨大的成功,但是仍然存在很多问题,主要表现在:(1)清晰度低,普通的计算机液晶显示器的PPI在200以下,靠近屏蔽观察时,网格效应明显。(2)显示视角小,由于大部分液晶显示的原理依靠液晶分子的各向异性,对不同的入射光,反射率不一样,所以视角较小,只有30—40度。随着视角的变大,液晶显示器的对比度迅速变坏。(3)响应速度慢液晶显示大多是依靠在外加电场作用下,液晶分子的排列发生变化,所以响应速度受材料的粘滞度影响很大。响应速度一般为100-200 ms,温度越低响应速度越慢,动态图像质量差。(4)对比度差,由于液晶是非主动发光,导致暗时看不清楚,显示的对比度较差。与液晶显示相比,有机电致发光显示具备技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点,基于有机电致发光显示的高清晰度的显示装置的开发具有重要的实际意义。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种清晰度高、响应速度快、显示效果好的光电显示装置。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种虚拟现实用高清晰度光电显示装置,包括衬底,其特征在于:所述衬底上设置有驱动电路层,所述驱动电路层上的形成有发光层,所述发光层上形成有薄膜封装层、所述薄膜封装层上设置与所述衬底相贴合的透明玻璃盖板,所述的玻璃盖板与衬底用紫外封装胶相连,所述像发光层包括若干个子像素组成,每个子像素由两个对角排列蓝光子像素发光层和两个对角排列橙光子像素发光层所组成,蓝光子像素发光层和橙光子像素发光层均为矩形形状,两个对角排列蓝光子像素发光层和两个对角排列橙光子像素发光层形成一个田字形的子像素,每个蓝光子像素发光层和橙光子像素发光层的矩形边长相等,且小于3微米,相邻的蓝光子像素发光层和橙光子像素发光层之间的间隔不小于0.2微米,且不大于1微米。
作为优选的,所述的衬底为单晶硅。
作为优选的,所述的驱动电路层为CMOS驱动电路,且CMOS驱动电路的顶层金属为Ag,顶层金属作为发光层的阳极。
作为优选的,所述的薄膜封装层用原子层沉积工艺制备Al2O3致密介质膜层和涂覆形成的聚对二甲苯层多层交替结构,所述的薄膜封装层的厚度为200 nm。
作为优选的,所述的发光层的蓝光子像素发光层和橙光子像素发光层的发光单元均为顶部出光的有机发光二极管,且蓝光子像素发光层和橙光子像素发光层的厚度均小于1微米。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:(1)本实用新型通过像素结构的设计,可以大幅提高计算机显示装置的清晰度,当设置蓝光子像素发光层和橙光子像素发光层的矩形边长为3微米,相邻的蓝光子像素发光层和橙光子像素发光层之间的间隔0.2微米时,显示装置的PPI可以达到2500以上。(2)本实用新型的彩色化采用蓝橙蓝橙(B1Y1B2Y2)四子像素的布局,彩色化的实现可以通过B1Y1、B1Y2、B2Y1、B2Y2四种方式,即使一种颜色的显示出现问题,也不会影响显示装置的正常工作,从而可以有效提高色彩显示质量和装置的使用寿命。(3)本实用新型的显示装置,总厚度可以实现微米量级,有利于降低器件的制作成本,并推进显示装置的薄型化、轻量化、窄边框化。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的