[实用新型]一种VCSEL装置有效
| 申请号： | 201820294006.8 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN207884069U | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 麦家儿;杨璐;曾晓明;李家声;欧叙文;陆家财;林宇珊 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩散片 本实用新型 通孔 红外截止膜 截止膜 空腔 支架 封装 外部 出光效果 密封基座 光反射 发射 散射 发光 穿过 灵活 | ||
1.一种VCSEL装置，其特征在于，包括带空腔的支架及封装于所述空腔内的VCSEL芯片；
所述支架包括基座及用于密封基座的扩散片，所述VCSEL芯片封装于基座上，所述扩散片设置于VCSEL芯片的出光面的上方以使VCSEL芯片发出的光经扩散片发射到外部；
所述扩散片上设有截止膜，所述截止膜上设置有通孔，所述通孔设于VCSEL芯片的出光面的上方以使VCSEL芯片发出的光穿过通孔后经扩散片发射到外部。
2.如权利要求1所述的VCSEL装置，其特征在于，所述截止膜的波长范围为200nm～2500nm。
3.如权利要求1所述的VCSEL装置，其特征在于，所述扩散片朝向VCSEL芯片的一面和侧面设置有截止膜，或者所述扩散片朝向VCSEL芯片的一面设置有截止膜。
4.如权利要求1所述的VCSEL装置，其特征在于，所述截止膜为红外截止膜，所述红外截止膜的波长范围为730nm～2500nm。
5.如权利要求4所述的VCSEL装置，其特征在于，所述红外截止膜采用胶体粘结的多层结构的高分子材料制成，厚度30um～100um；或者所述红外截止膜采用镀膜方式镀上金属，厚度0.5～3um。
6.如权利要求1所述的VCSEL装置，其特征在于，所述通孔的截面与VCSEL芯片的出光面的形状及大小相一致。
7.如权利要求1所述的VCSEL装置，其特征在于，所述扩散片局部位置或全部位置设置扩散粉。
8.如权利要求7所述的VCSEL装置，其特征在于，所述扩散片局部位置设置扩散粉时，所述扩散片包括扩散区及非扩散区，所述非扩散区位于所述扩散区的侧面和/或上表面，所述扩散区设于VCSEL芯片的出光面的上方且所述扩散区内分布有扩散粉。
9.如权利要求8所述的VCSEL装置，其特征在于，所述扩散区的截面与空腔的截面的形状及大小相一致。
10.如权利要求8所述的VCSEL装置，其特征在于，所述非扩散区位于所述扩散区的侧面或侧面和上表面时，所述扩散区与非扩散区的侧面连接处设有反射层，所述反射层的反射面朝扩散区设置。
11.如权利要求10所述的VCSEL装置，其特征在于，所述反射层由金属或有机材料制成。
12.如权利要求1所述的VCSEL装置，其特征在于，所述VCSEL芯片上表面与扩散片下表面之间的距离至少为0.5mm。
13.如权利要求1所述的VCSEL装置，其特征在于，所述VCSEL芯片发出的光经扩散片扩散后，发光角度为10°～120°。
14.如权利要求1所述的VCSEL装置，其特征在于，所述VCSEL芯片为倒装VCSEL芯片或垂直VCSEL芯片。
15.如权利要求1所述的VCSEL装置，其特征在于，所述扩散片由混有扩散粉的透明片材制成。
16.如权利要求1所述的VCSEL装置，其特征在于，所述空腔内部为空气。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星光电股份有限公司，未经佛山市国星光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820294006.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
