[实用新型]一种用于导模法生长氧化镓单晶的导模板有效
| 申请号： | 201820300241.1 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN207919017U | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 张先海 | 申请（专利权）人： | 张先海 |
| 主分类号： | C30B15/34 | 分类号： | C30B15/34;C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 祗志洁 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导模板 侧板 本实用新型 单晶 导模法 氧化镓 光滑过渡连接 表面粗糙度 垂直距离 单晶生长 弧面镜面 晶体拉制 爬升 出料口 弧面槽 模具口 上端面 氧化稼 生长 钝角 弧面 熔体 上口 优选 对称 开口 节约 加工 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于导模法生长氧化镓单晶的导模板，包括第一侧板和第二侧板，两侧板镜面对称，并且通过螺栓固定为一体，两侧板中间的缝隙构成主供料缝；其特征在于，所述的第一侧板的上端面到第一侧板内平面之间通过弧面A光滑过渡连接；所述的第二侧板的上端面到第二侧板内平面之间通过弧面B光滑过渡连接；所述的弧面A和所述的弧面B镜面对称形成V型弧面槽；所述的V型弧面槽为钝角开口。
2.根据权利要求1所述的一种用于导模法生长氧化镓单晶的导模板，其特征在于，所述的V型弧面槽的夹角范围为95°～160°。
3.根据权利要求1所述的一种用于导模法生长氧化镓单晶的导模板，其特征在于，所述导模板的出料口到导模板上口的垂直距离与单个侧板的厚度之比的取值范围为[0.3,0.9]。
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