[实用新型]一种真空槽有效
申请号: | 201820301502.1 | 申请日: | 2018-03-05 |
公开(公告)号: | CN207938579U | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 张运;孙者利 | 申请(专利权)人: | 济南卓微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250200 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空槽体 缓冲室 真空槽 本实用新型 两侧设置 上端口 底部密封 法兰连接 缓冲作用 两端设置 上端敞口 更换槽 耐磨层 室内壁 真空泵 产能 缓冲 平行 施加 节约 | ||
本实用新型公开了一种真空槽,包括真空槽体,其特征在于:在所述真空槽体两侧设置真空的缓冲室,在所述缓冲室的两端设置法兰连接真空泵,所述缓冲室是底部密封上端敞口的容器,所述缓冲室的上端口与所述真空槽体的上端口平行。本实用新型的有益效果是:由于在真空槽的两侧设置有缓冲室,气流不直接施加在真空槽体,增加缓冲作用,并且在真空槽体和缓冲室内壁增加了耐磨层,确保了真空槽体不受损坏,大大的降低了更换槽体的周期,节约投入,提高利用率,增加产能,提高质量,且结构简单、设计合理。
技术领域
本实用新型涉及半导体芯片加工技术领域,具体涉及一种真空槽。
背景技术
半导体芯片广泛用于各种电器,吹砂工艺是生产芯片的主要工序之一,吹砂机皮带附着在真空槽上面,真空槽里面通过风机实现负压,致使硅片吸附在皮带上面进行吹砂。由于槽子里面是负压,皮带与槽体之间有相对运动,不能完全密封,有气体进入,导致真空槽体受损,影响了产品的正常生产,成为困扰企业的一大难题,这是现有技术的不足。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种真空槽,以解决上述背景技术中提出的问题。为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种真空槽,包括真空槽体,其特征在于:在所述真空槽体两侧设置真空的缓冲室,在所述缓冲室的两端设置法兰连接真空泵,所述缓冲室是底部密封上端敞口的容器,所述缓冲室的上端口与所述真空槽体的上端口平行。
上述真空槽体和所述缓冲室的内壁贴覆耐磨材料。
上述耐磨材料为非金属耐磨材料,所述非金属耐磨材料为橡胶、尼龙。
上述缓冲室的高度h是所述真空槽体高度H的五分之一。
上述缓冲室宽度l是所述真空槽体宽度L的八分之一。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:由于在真空槽的两侧设置有缓冲室,气流不直接施加在真空槽体,增加缓冲作用,并且在真空槽体和缓冲室内壁增加了耐磨层,确保了真空槽体不受损坏,大大的降低了更换槽体的周期,节约投入,提高利用率,增加产能,提高质量,且结构简单、设计合理。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图,图2为图1的俯视结构示意图。
图中:1-真空槽体,2-缓冲室,3-法兰。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,一种真空槽,包括真空槽体,在真空槽体1两侧设置真空的缓冲室2,在缓冲室2的两端设置法兰3连接真空泵,缓冲室2是底部密封上端敞口的容器,缓冲室2的上端口与真空槽体1的上端口平行。在真空槽体1和缓冲室2的内壁贴覆耐磨材料。耐磨材料为非金属耐磨材料,非金属耐磨材料为橡胶、尼龙。缓冲室2的高度h是真空槽1体高度H的五分之一。缓冲室2宽度l是真空槽体1宽度L的八分之一。
基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造