[实用新型]一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板

权利要求书

1.一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板，包括第一侧板和第二侧板，两侧板镜面对称，两侧板中间的缝隙构成主供料缝；导模板主体的出料端设有向下凹陷的顶端V型槽；其特征在于，所述的顶端V型槽为钝角开口；在导模板主体的左右两端分别设有侧面V型槽；所述的侧面V型槽从侧板的上端贯通到下端，为钝角开口；在导模板主体的左右两端分别用一块密封板将第一侧板和第二侧板铆接，并将主供料缝左右两侧密封。

2.根据权利要求1所述的一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板，其特征在于，所述的顶端V型槽和侧面V型槽都与侧板内平面之间通过弧面光滑过渡连接。

3.根据权利要求1所述的一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板，其特征在于，所述的顶端V型槽的夹角范围为95°～160°。

4.根据权利要求1所述的一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板，其特征在于，所述的侧面V型槽的夹角大于等于150°,小于180°。

5.根据权利要求1所述的一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板，其特征在于，所述的密封板与导模板主体等高，宽度为第一侧板宽度加第二侧板宽度及主供料缝宽度之和。

6.根据权利要求1～5任一所述的一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板，其特征在于，所述的第一侧板、第二侧板和左右两密封板的材料选用金属铱。