[实用新型]一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构

权利要求书

1.一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构，其特征是以n型晶体硅片（5）作为基底，其发射极面分为发射极-导电区域和钝化-进光区域：发射极-导电区域由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅发射极层（2）和金属栅线I（1）构成，钝化-进光区域由基底向外依次由重掺杂n型晶体硅场钝化层I（4）和钝化减反射层I（3）构成，这两个区域交叉分布且不重叠；

其背电场面结构分为钝化-进光区域和背电场-导电区域：n型晶体硅片（5）基底上设置一重掺杂n型晶体硅层II（6），该重掺杂n型晶体硅层II（6）覆盖钝化-进光区域和背电场-导电区域两个区域；钝化-进光区域的n型晶体硅层II（6）外为钝化减反射层II（7）；背电场-导电区域的n型晶体硅层II（6）外为金属栅线II（8），这两个区域交叉分布且不重叠。

2.根据权利要求1所述的一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构，其特征是所述的钝化减反射层I（3）为氮化硅层。

3.根据权利要求1所述的一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构，其特征是所述的发射极与重掺杂n型晶体硅场钝化层I（4）之间设一绝缘层。

4.根据权利要求1所述的一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构，其特征是所述的重掺杂n型晶体硅场钝化层I（4）的厚度为1-300nm。

5.根据权利要求1所述的一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构，其特征是所述的钝化减反射层II（7）为氮化硅层。

6.根据权利要求1所述的一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构，其特征是器件表面金属栅线总覆盖面积比例为1~3%。