[实用新型]智能控制IGBT输出的驱动电路

说明书

本实用新型公开了一种智能控制IGBT输出的驱动电路，包括DSP处理器、光电耦合器和绝缘栅双极型晶体管,所述耦合器的FAULT引脚经电阻R2连接处理器的信号输入端，耦合器的CATHODE引脚和CATHODE引脚经电阻R4连接处理器的PWM波信号输出端,耦合器的VE引脚连接晶体管的S端,耦合器的DESAT引脚经电阻R8、二极管D3、二极管D4连接晶体管的D端，耦合器的VOUT引脚经电阻R10连接晶体管的G端，本实用新型有效的控制了IGBT 工作电流最大值达到额定电流，实现了各种情况下造成IGBT过流的保护。

技术领域

本实用新型属于IGBT控制电路技术领域，特别是涉及一种智能控制IGBT输出的驱动电路。

背景技术

IGBT指绝缘栅双极型晶体管，它是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

电梯驱动系统随着电子技术的不断发展发生着日新月异的变化，从晶闸管到分体式模块，两单元模块到柒单元模块，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是现在变频器和逆变器的主要功率器件。而开通和关闭IGBT的栅极电压与波形质量成为控制运用IGBT的关键。开通电压正15V的正栅极电压，可以产生完全饱和，而且开关损耗最小，选择关断电压在负9V目的是出现干扰时仍然可以有效关断，并且关断损耗最小，消除米勒效应。波形质量主要是由栅极电阻和栅极电容决定的，栅极电阻与栅极电容取值偏小时，充放电较快，能减小开关时间和开关损耗，但容易产生振荡，栅极电阻与栅极电容取值偏大时，充放电较慢，虽然波形比较平缓，但开关损耗大，所以要选择匹配的栅极电阻栅极电容，同时IGBT输出有过流，短路时，必须判断准确，DSP微处理器会根据设计时的数据判别IGBT是否是正真的过流。因此要求检测过流短路电路的灵敏度要高，处理速度要快。IGBT输出开通时漏极与源极的管压降检测时间电路必须控制准确，在规定的时间范围。整个软关断IBGT的时间在10us之内，如果在10us不能关断IGBT的输出，就会导致IGBT损坏。

因此，如何解决上述问题成为本领域人员研究的重点。

实用新型内容

本实用新型的目的就是提供智能控制IGBT输出的驱动电路，能完全解决上述现有技术的不足之处。

本实用新型的目的通过下述技术方案来实现：

一种智能控制IGBT输出的驱动电路，包括DSP处理器、光电耦合器和绝缘栅双极型晶体管,所述光电耦合器包括VS引脚1、VS引脚4、VCC1引脚2、FAULT引脚3、ANODE引脚6、ANODE引脚7、CATHODE引脚5、CATHODE引脚8、VE引脚16、VLED引脚15、DESAT引脚14、VCC2引脚13、VOUT引脚11、VCLAMP引脚10、VEE引脚12和VEE引脚9，所述 FAULT引脚3连接电阻R2的一端,电阻R2的另一端连接DSP处理器的信号输入端，所述CATHODE引脚5和CATHODE引脚8共同连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接DSP处理器的PWM波信号输出端，所述VE引脚16连接绝缘栅双极型晶体管的S端，所述DESAT引脚14连接电阻R8的一端,电阻R8的另一端连接二极管D3的正极，二极管D3的负极连接二极管D4的正极,二极管D4的负极连接绝缘栅双极型晶体管的D端，所述VOUT引脚11连接电阻R10的一端，电阻R10的另一端连接绝缘栅双极型晶体管的G端，所述电阻R10两端并联有电阻R9和二极管D5,所述电阻R9的一端与电阻R10靠近VOUT引脚11的一端连接，电阻R9另一端连接二极管D5的负极，二极管D5的正极连接电阻R10靠近绝缘栅双极型晶体管的一端，所述绝缘栅双极型晶体管的G端与二极管D5正极之间连接二极管D6的负极，二极管D6的正极连接二极管D7的正极，二极管D7的正极连接绝缘栅双极型晶体管的S端，所述二极管D6的负极与绝缘栅双极型晶体管的G之间连接电容C8的一端，电容C8的另一端连接在二极管D7的正极与绝缘栅双极型晶体管的S端之间，所述电容C8与绝缘栅双极型晶体管的G端之间连接电阻R6的一端，所述电阻R6的另一端连接在电容C8和绝缘栅双极型晶体管的S端之间。