[实用新型]用于智能存储柜的矩阵式锁控结构

说明书

本实用新型公开了一种用于智能存储柜的矩阵式锁控结构，包括主控处理器、与所述主控处理器相连接的通信电路和矩阵电路，所述矩阵电路包括矩阵锁控电路和矩阵反馈电路，所述矩阵锁控电路包括十个双通道MOS管，三个复合晶体管阵列芯片和三个CMOS总线收发器，第一至第五个双通道MOS管组成供电侧，第六个至第十个双通道MOS管组成接地侧。本实用新型的结构设置合理，其采用矩阵锁控电路和矩阵反馈电路，从而可以大大提高电子锁的控制路数，提高了适用范围，并且可以减少上位机的使用，可有效的降低使用成本，使用稳定性好且实用性强。

技术领域

本实用新型属于智能存储柜技术领域，具体涉及一种用于智能存储柜的矩阵式锁控结构。

背景技术

目前智能存储柜中的电子锁系统控制方面，普遍采用模块化集成的方式，由上位机、通信模块、锁控板等结构组成，上位机一般采用PC或平板电脑，通信模块采用路由，锁控板采用单路单通道控制，其虽然可以一定程度上满足市场的需求，但是其工序复杂且使用寿命短，大大增加了使用成本，故而适用性受到限制。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种结构设置合理且可有效降低使用成本的用于智能存储柜的矩阵式锁控结构。

实现本实用新型目的的技术方案是：一种用于智能存储柜的矩阵式锁控结构，包括主控处理器、与所述主控处理器相连接的通信电路和矩阵电路，所述矩阵电路包括矩阵锁控电路和矩阵反馈电路，所述矩阵锁控电路包括十个双通道MOS管，三个复合晶体管阵列芯片和三个CMOS总线收发器，第一至第五个双通道MOS管组成供电侧，第六个至第十个双通道MOS管组成接地侧，第一至第三个双通道MOS管连接在第一复合晶体管阵列芯片上，所述第一复合晶体管阵列芯片与第一CMOS总线收发器相连接，第五双通道MOS管至第六双通道MOS管连接在第二复合晶体管阵列芯片上且第二复合晶体管阵列芯片与第二CMOS总线收发器相连接，第八双通道MOS管至第十双通道MOS管连接在第三复合晶体管阵列芯片上且第三复位晶体管阵列芯片与第三CMOS总线收发器相连接，第四双通道MOS管的一个输出端连接在第一复合晶体管阵列芯片上另一个输出端连接在第二复合晶体管阵列芯片上，第七双通道MOS管的一个输出端连接在第二复合晶体管阵列芯片上另一个输出端连接在第三复合晶体管阵列芯片上，第二复合晶体管阵列芯片的第一引脚连接在第一CMOS总线收发器上且第七引脚连接在第三CMOS总线收发器上。

还包括与所述主控处理器相连接的串联接口，所述通信电路包括GPRS通信电路和可扩展通信接口电路。

所述主控处理器的主芯片型号为STM32F407ZET6。

所述复合晶体管阵列芯片的型号为ULN2003，且CMOS总线收发器的主芯片型号为HCT245。

本实用新型具有积极的效果：本实用新型的结构设置合理，其采用矩阵锁控电路和矩阵反馈电路，从而可以大大提高电子锁的控制路数，提高了适用范围，并且可以减少上位机的使用，可有效的降低使用成本，使用稳定性好且实用性强。

附图说明

为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中：

图1为本实用新型的结构框图；

图2为本实用新型中主控处理器的具体电路图；

图3为本实用新型中矩阵锁控电路的具体电路图；

图4为本实用新型中矩阵反馈电路的具体电路图。

具体实施方式

(实施例1)

图1至图4显示了本实用新型的一种具体实施方式，其中图1为本实用新型的结构框图；图2为本实用新型中主控处理器的具体电路图；图3为本实用新型中矩阵锁控电路的具体电路图；图4为本实用新型中矩阵反馈电路的具体电路图。