[实用新型]一种并联功率开关的过流保护电路有效
申请号: | 201820340942.8 | 申请日: | 2018-03-13 |
公开(公告)号: | CN207926171U | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 孙雪云;龙江涛 | 申请(专利权)人: | 苏州汇川联合动力系统有限公司 |
主分类号: | H02H7/122 | 分类号: | H02H7/122;H02H3/08 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 陆军 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率开关 过流保护开关 过流保护电路 过流保护 本实用新型 并联功率 过流信号 驱动单元 反馈端 触发 并联连接 电流切换 过流检测 串接的 并联 串接 共接 反馈 驱动 输出 | ||
1.一种并联功率开关的过流保护电路,用于对并联的多个功率开关进行过流保护,其特征在于,所述过流保护电路包括分别与所述功率开关一一对应的多个过流保护开关单元,且所述多个过流保护开关单元并联连接;每一所述过流保护开关单元与相应的一个功率开关串接,且每一所述过流保护开关单元的过流反馈端共接于驱动单元的过流检测端并在与其串接的所述功率开关过流时,将驱动所述功率开关的电流切换至过流反馈端输出以反馈过流信号至所述驱动单元。
2.根据权利要求1所述的并联功率开关的过流保护电路,其特征在于,每一所述过流保护开关单元包括:
开关电路,串接于供电端和相应的一个所述功率开关之间,并在所述功率开关未过流时导通,以及在所述功率开关过流时关断;
单向电路,连接于所述过流反馈端和供电端之间,用于防止外部电流从过流反馈端倒灌进入所述开关电路和所述功率开关。
3.根据权利要求2所述的并联功率开关的过流保护电路,其特征在于,所述开关电路包括第一二极管,所述单向电路包括第二二极管。
4.根据权利要求2所述的并联功率开关的过流保护电路,其特征在于,每一所述过流保护开关单元还包括:
限流电路,连通所述供电端和所述单向电路以及所述供电端和所述开关电路,用于对所述供电端输出的电流进行限制。
5.根据权利要求4所述的并联功率开关的过流保护电路,其特征在于,所述开关电路包括第一二极管,所述单向电路包括第二二极管,所述限流电路包括第一电阻,所述第一电阻的第一端作为所述过流保护开关单元的所述供电端,所述第一二极管和第二二极管的正极均连接所述第一电阻的第二端,所述第一二极管的负极连接所述功率开关的输入端,所述功率开关的输出端接地,所述第二二极管的负极为所述过流保护开关单元的所述过流反馈端。
6.根据权利要求2所述的并联功率开关的过流保护电路,其特征在于,所述供电端与一个固定的外部电源连接。
7.根据权利要求2所述的并联功率开关的过流保护电路,其特征在于,所述供电端与任意电路中的提供稳定电压的位置连接。
8.根据权利要求7所述的并联功率开关的过流保护电路,其特征在于,所述供电端与对应功率开关的控制端连接。
9.根据权利要求1所述的并联功率开关的过流保护电路,其特征在于,所述功率开关为绝缘栅双极型晶体管IGBT或者金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。
10.根据权利要求1所述的并联功率开关的过流保护电路,其特征在于,所述过流保护电路还包括第二电阻和电容,所述第二电阻连接于所述过流反馈端和所述过流检测端之间,所述电容连接于所述过流检测端和地之间。
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