[实用新型]一种功率开关的驱动电路以及电机驱动器

说明书

本实用新型公开了一种功率开关的驱动电路以及电机驱动器，包括：第一驱动支路，用于将输入的驱动电流输出；第二驱动支路，与所述第一驱动支路并联，用于将输入的驱动电流进行放大后输出；驱动单元，经由所述第一驱动支路和第二驱动支路连接功率开关，所述驱动单元输出的驱动电流分为两部分分别经由第一驱动支路、第二驱动支路后再进行电流叠加以驱动所述功率开关。由于输出的驱动电流分为两部分，一部分电流直接输出，另一部分电流放大后输出，这样，一方面可以完全利用驱动单元的能力，解决浪费驱动芯片的大部分能力的问题，另一方面，分流到第二驱动支路的电流与现有技术相比明显减小，因此降低了对第二驱动支路中开关管能力的要求，降低了器件尺寸和成本。

技术领域

本实用新型涉及电机技术领域，尤其涉及一种功率开关的驱动电路以及电机驱动器。

背景技术

在对高压大功率MOS(metal oxide semiconductor，金属氧化物半导体场效应晶体管)或者IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)驱动时，常常采用驱动芯片来驱动。如果驱动芯片的输出能力足够驱动MOS或者IGBT时，则采用由驱动芯片通过电阻直接连接到MOS管或者IGBT的控制极，如图1所示。当驱动芯片的输出能力不足以驱动功率MOS管或者IGBT时，常常采用增加一级电流放大电路的办法，如图2所示。

在采用一级电流放大电路驱动MOS管或者IGBT时，由于驱动该电流放大电路所需要的电流非常小，为毫安级别，而驱动芯片的输出能力为安培级，导致驱动芯片的大部分能力浪费。另外，为了满足功率MOS管或者IGBT的驱动，电流放大的管子需要选择电流足够大的，导致成本增加，尺寸增加。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述驱动芯片的大部分能力浪费，且电流放大电路尺寸大、成本高的缺陷，提供一种功率开关的驱动电路。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种功率开关的驱动电路，包括：

第一驱动支路，用于将输入的驱动电流输出；

第二驱动支路，与所述第一驱动支路并联，用于将输入的驱动电流进行放大后输出；

驱动单元，经由所述第一驱动支路和第二驱动支路连接功率开关；所述驱动单元输出的驱动电流分为两部分分别经由第一驱动支路、第二驱动支路后再进行电流叠加以驱动所述功率开关。

在本实用新型所述的驱动电路中，所述第二驱动支路包括第一电阻、推挽电路、第二电阻，第一电阻的第一端连接驱动单元的输出端，第一电阻的第二端经由推挽电路连接第二电阻的第一端，第二电阻的第二端连接功率开关的控制端。

在本实用新型所述的驱动电路中，所述推挽电路包括第一开关管和第二开关管，第一开关管和第二开关管的控制端共接后作为整个推挽电路的输入端，第一开关管的输出端和第二开关管的输入端共接后作为整个推挽电路的输出端，第一开关管的输入端接供电电源，第二开关管的输出端接地或者接负电压。

在本实用新型所述的驱动电路中，所述第一开关管为NPN型三极管，所述第二开关管为PNP型的三极管。

在本实用新型所述的驱动电路中，所述第一驱动支路包括一个第三电阻。

在本实用新型所述的驱动电路中，所述驱动单元包括驱动芯片。

在本实用新型所述的驱动电路中，所述功率开关为绝缘栅双极型晶体管IGBT。

在本实用新型所述的驱动电路中，所述功率开关为金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。

本实用新型还公开了一种电机驱动器，包括所述的功率开关的驱动电路。