[实用新型]封接结构

说明书

本实用新型公开了一种封接结构，包括陶瓷腔体、陶瓷引针、金属引针和导电层，所述陶瓷腔体的表面开设有通孔，所述导电层设置在所述通孔的孔壁表面，所述金属引针和所述陶瓷引针设置在所述通孔沿长度方向的不同段中并密封所述通孔，所述金属引针向所述陶瓷腔体外侧凸出，所述导电层与所述金属引针电连接，用于将所述金属引针与所述陶瓷腔体中的电学元件电连接。

技术领域

本实用新型涉及陶瓷材料真空封接领域，特别是涉及一种封接结构。

背景技术

陶瓷，因其具有优异的高温力学性能及特有的光、声、电、磁、热及功能复合效益而被广泛应用到通讯、电子、能源环保、航空、航天、军事等高技术领域。

解决真空环境的绝缘陶瓷腔体中的电学元件导电的常规方法是，在绝缘陶瓷腔体上开孔，然后再封接上引针，从而实现陶瓷腔体密封且通过引针实现腔体内至腔体外的导电。如果用金属材料作为引针材料，由于陶瓷与金属的膨胀系数不能完全匹配，因此会使封接强度较低、气密性不高。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种气密性强、强度高的封接结构。

一种封接结构，包括陶瓷腔体、陶瓷引针、金属引针和导电层，所述陶瓷腔体的表面开设有通孔，所述导电层设置在所述通孔的孔壁表面，所述金属引针和所述陶瓷引针设置在所述通孔沿长度方向的不同段中并密封所述通孔，所述金属引针向所述陶瓷腔体外侧凸出，所述导电层与所述金属引针电连接，用于将所述金属引针与所述陶瓷腔体中的电学元件电连接。

在其中一个实施例中，所述陶瓷腔体和所述陶瓷引针的材料包括氧化铝、氧化锆、氧化钇、镁铝尖晶石、碳化硅、氮化硅及氮化铝中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述陶瓷腔体和所述陶瓷引针的膨胀系数差值相差小于5％。

在其中一个实施例中，所述陶瓷引针和所述陶瓷腔体的主要组分的材料相同，质量分数相差小于5％。

在其中一个实施例中，所述陶瓷引针的长度为所述通孔的长度的1/2～3/4。

在其中一个实施例中，所述金属引针的材料包括可伐、钛、钼、不锈钢及铌中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述金属引针的长度为所述通孔的长度的1/2～1/4。

在其中一个实施例中，所述导电层的材料为钼锰复合层、钛钼复合层及碳层中的至少一种。

所述封接结构中，引针结构包括金属引针和陶瓷引针，陶瓷引针和陶瓷腔体连接，能够克服金属引针和陶瓷腔体直接连接造成的材料不匹配，膨胀系数差异大的问题，使陶瓷腔体和引针的连接处的气密性更强。金属引针的柔韧性比陶瓷引针强，金属引针向所述陶瓷腔体外侧凸出能够使引针凸出部分具有更好的韧性，避免陶瓷引针凸出时由于其硬脆性造成的引针结构易损坏。导电层作为中介，通过分别连接陶瓷腔体内的电学元件以及金属引针，实现陶瓷腔体和金属引针的连接同时实现陶瓷腔体内外的电连接。

附图说明

图1为本实用新型实施例的封接结构的结构示意图；

图2为本实用新型实施例的封接结构的制备方法的流程示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本实用新型的封接结构进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。