[实用新型]一种花篮有效
申请号: | 201820353999.1 | 申请日: | 2018-03-15 |
公开(公告)号: | CN208093525U | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 张飞;衡阳;周彬;郑旭然;王栩生 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 底座 花篮 滚动体 中心轴线 转动 冷却 太阳能电池制备 本实用新型 承载工件 底座转动 电能驱动 额外提供 滚动摩擦 环形排布 均匀冷却 冷却成本 生产效率 通道两侧 转动连接 冷却风 容置槽 吹动 容置 | ||
本实用新型公开了一种花篮,涉及太阳能电池制备技术领域。该花篮包括本体和底座,所述本体设置有容置工件的容置槽;所述底座设置于所述本体的下方,所述底座和所述本体之间设置有多个滚动体,多个所述滚动体绕所述本体的中心轴线呈环形排布,以使所述本体能够相对所述底座绕所述本体的中心轴线转动。当花篮承载工件冷却时,通道两侧的风会吹动本体相对底座转动,从而使工件均匀冷却,相比现有技术中延长冷却时间,可以提高生产效率,节省电能;且本体与底座之间通过滚动体实现转动连接,本体与底座之间为滚动摩擦,摩擦力较小,有利于本体在冷却风的作用下转动,不需要额外提供电能驱动,从而降低冷却成本。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制备技术领域,尤其涉及一种用于电池片退火工艺的花篮。
背景技术
随着能源危机以及雾霾、温室效应等环境问题的日趋严重,能源转型迫在眉睫。由于光伏能源具备清洁无污染,储量大等优势,光伏行业受到各国政府的大力支持,技术上取得了巨大的进步,得到越来越广泛的应用,太阳能成为当今最具发展潜力的新能源之一。
实现光伏发电的器件是太阳能电池,主要分为晶硅、薄膜以及第三代太阳能电池,其中技术最成熟、应用最广泛的就是晶硅太阳能电池。在晶硅太阳能电池片的生产过程中,电注入退火炉被用于丝网烧结后电池片的退火处理,以减少电池片做成组件后的光衰。传统的电池片退火处理中,一般将100-400片电池片叠放与电注入花篮中,花篮沿电注入通道直行,携带电池片依次通过各作用区域后,最终在冷却区停止,经通道两侧的风扇吹风冷却后,手动下料完成电池片的退火处理。
由于电池片在花篮中层叠放置,通道两侧的风只能吹到平行于通道的电池片两边,所以该区域附近散热冷却较快,其余两边以及电池片的中心区域则散热较慢。为保证电池片充分冷却,传统的退火工艺中只能延长吹风时间,导致电注入的时间延长,生产效率降低,电能耗费增加。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提出一种花篮,该花篮有助于提高工件冷却的均匀性,从而缩短冷却时间,节约电能,提高生产效率,降低冷却成本。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种花篮,包括:
本体,所述本体设置有容置工件的容置槽;及
底座,所述底座设置于所述本体的下方,所述底座和所述本体之间设置有多个滚动体,多个所述滚动体绕所述本体的中心轴线呈环形排布,以使所述本体能够相对所述底座绕所述本体的中心轴线转动。
其中,所述底座和所述本体中,一个设置有多个绕所述本体的中心轴线环形排布的第一凹槽,另一个设置有环形的第二凹槽,每个所述第一凹槽内滚动设置有一个所述滚动体,所述滚动体部分凸出所述第一凹槽并与所述第二凹槽配合。
其中,所述滚动体为滚珠或滚针,当所述滚动体为滚针时,所述滚针的中心轴线与所述本体的底面平行,且多个所述滚针的中心轴线交汇于所述本体的中心轴线上。
其中,所述底座的顶面和所述本体的底面中,一个凸设有环形凸缘,另一个设置有环形凹槽,所述环形凸缘的中心轴线与所述本体的中心轴线重合,所述环形凸缘插入所述环形凹槽中。
其中,所述滚动体为滚动轴承,所述本体和所述底座中,一个与所述滚动轴承的内圈连接,另一个与所述滚动轴承的外圈连接,所述滚动轴承的中心轴线与所述本体的中心轴线重合。
其中,所述底座在与所述本体的中心对应的位置处设置有通孔。
其中,所述本体由金属材料制成。
其中,所述本体包括:
底板;及
多个挡板,多个所述挡板垂直于所述底板并环绕所述底板的边缘设置,所述挡板与所述底板围成所述容置槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造