[实用新型]一种均匀场流的蚀刻装置有效
| 申请号： | 201820354115.4 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN207883664U | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 许孟凯;陈胜男;黄建顺;王嘉伟;林张鸿;林豪;林伟铭 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 351117 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反射罩 抛物面 入射 入射单元 竖直向上 反应槽 均匀场 场流 通孔 蚀刻装置 上表面 抛物线 本实用新型 反应槽内部 方向指向 化学蚀刻 洁净单元 焦点处 入射孔 下表面 溢流槽 反射 遮挡 连通 平行 | ||
【权利要求书】：
1.一种均匀场流的蚀刻装置，其特征在于：包括反应槽、入射单元、溢流槽、循环洁净单元，所述入射单元设置在反应槽的底部，入射单元包括入射管和反射罩，所述反射罩上表面为设置通孔的平面，反射罩通过通孔与反应槽连通，下表面为抛物面，所述入射管置于所述抛物面的抛物线所在的焦点处，所述入射管上设置有方向指向抛物面的入射孔，所述溢流槽设在反应槽外部的四周，循环洁净单元进液口与溢流槽底部连通，循环洁净单元出液口与入射管连通，循环洁净单元用于抽取并过滤溢流槽的液体。
2.根据权利要求1所述的一种均匀场流的蚀刻装置，其特征在于：还包括超声波振荡单元，超声波振荡单元设置在反应槽的槽体壁上和/或反射罩下表面壁上。
3.根据权利要求1所述的一种均匀场流的蚀刻装置，其特征在于：所述反射罩的上表面与反应槽底部为相同大小。
4.根据权利要求1所述的一种均匀场流的蚀刻装置，其特征在于：所述反应槽为方体型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
