[实用新型]一种氢气传感器有效

专利信息
申请号: 201820362355.9 申请日: 2018-03-16
公开(公告)号: CN208103923U 公开(公告)日: 2018-11-16
发明(设计)人: 沈方平 申请(专利权)人: 苏州钽氪电子科技有限公司
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00;B81C1/00;G01N27/14
代理公司: 南京常青藤知识产权代理有限公司 32286 代理人: 史慧敏
地址: 215000 江苏省苏州市苏州工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 贵金属催化 氢气传感器 绝热层 硅基 本实用新型 绝热槽 硅基底上表面 低温度系数 惠斯通电桥 表面覆盖 参比电阻 催化燃烧 隔绝空气 使用寿命 温敏电阻 体积小 功耗 热导 串联 响应 延伸
【权利要求书】:

1.一种氢气传感器,其特征在于,包括硅基底,所述硅基底上表面设有绝热层,所述硅基底下表面开有2个延伸至所述绝热层的绝热槽,所述绝热层表面设有成分相同且起到催化作用的第一贵金属催化层和第二贵金属催化层,所述第一贵金属催化层和所述第二贵金属催化层分别位于两个所述绝热槽的正上方,所述第一贵金属催化层表面覆盖有一层隔绝空气层,所述第二贵金属催化层开有气孔,所述绝热层的边缘设有若干引线窗口,所述隔绝空气层的表面设有两个低温度系数参比电阻,所述第一贵金属催化层和所述第二贵金属催化层通过所述引线窗口与两个所述低温度系数参比电阻串联,所述隔绝空气层的表面还设置有用于测定环境温度的温度敏感电阻。

2.根据权利要求1所述的一种氢气传感器,其特征在于,所述绝热层的边缘处设有若干起到引线连接作用的第三贵金属催化层,所述第三贵金属催化层构成所述引线窗口的底部。

3.根据权利要求2所述的一种氢气传感器,其特征在于,所述第一贵金属催化层和所述第二贵金属催化层以及所述第三贵金属催化层的下表面均设有第一抗氧化缓冲层,所述第一贵金属催化层的上表面设有第二抗氧化缓冲层。

4.根据权利要求1所述的一种氢气传感器,其特征在于,所述绝热层的厚度为1-5μm,所述绝热层材料为二氧化硅、氮化硅、氧化锆中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的一种氢气传感器,其特征在于,所述第一贵金属催化层和所述第二贵金属催化层的厚度相同且均为200nm-2000nm,所述第一贵金属催化层和所述第二贵金属催化层为铂、钯或铂钯合金。

6.根据权利要求1所述的一种氢气传感器,其特征在于,所述温度敏感电阻由铂、掺杂单晶硅或者多晶硅制成。

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