[实用新型]一种单片硅基微压传感器有效
| 申请号： | 201820366252.X | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN207991720U | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 沈绍群;罗小勇;阮炳权 | 申请（专利权）人： | 广东和宇传感器有限公司;上海旦宇传感器科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529100 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背岛 硅基片 终止结构 弹性硅 微压传感器 单片硅基 腐蚀坑 腐蚀 硅片 本实用新型 二氧化硅层 厚度一致性 玻璃键合 厚度限制 器件失效 稳定测量 一致性好 灵敏度 产出率 键合 灵活 | ||
1.一种单片硅基微压传感器，其特征在于：包括硅片主体，所述硅片主体包括相互键合于一起的硅基片(1)和弹性硅膜(2)，所述硅基片(1)和弹性硅膜(2)之间设置有第一二氧化硅层(3)，所述硅基片(1)之中设置有腐蚀坑(4)，所述腐蚀坑(4)之中设置有背岛结构，所述背岛结构包括用于稳定测量的背岛(5)和包裹所述背岛(5)设置的腐蚀自终止结构。
2.根据权利要求1所述的一种单片硅基微压传感器，其特征在于：所述腐蚀自终止结构包括第二二氧化硅层(6)和所述的第一二氧化硅层(3)，所述背岛(5)设置于所述第一二氧化硅层(3)之上并被所述第一二氧化硅层(3)和第二二氧化硅层(6)所包裹。
3.根据权利要求1所述的一种单片硅基微压传感器，其特征在于：所述硅基片(1)于所述腐蚀坑(4)表面之外的表面处，以及所述弹性硅膜(2)的表面处，均设置有二氧化硅保护膜(7)。
4.根据权利要求3所述的一种单片硅基微压传感器，其特征在于：所述弹性硅膜(2)的表面处还设置有惠斯通电桥。
5.根据权利要求4所述的一种单片硅基微压传感器，其特征在于：所述惠斯通电桥包括4个桥路电阻和从所述桥路电阻中引出的铝引线。
6.根据权利要求5所述的一种单片硅基微压传感器，其特征在于：所述桥路电阻设置于所述弹性硅膜(2)之中，并与所述铝引线分别设置于所述二氧化硅保护膜(7)的两侧。
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