[实用新型]芯片焊接密封结构

说明书

本实用新型涉及电子设置，公开了一种芯片焊接密封结构。本实用新型中芯片焊接密封结构包含：第一金属焊接层，用于将芯片焊设在电性连接载体上，且芯片在被焊设在电性连接载体上后，与电性连接载体电性导通；第二金属焊接层，环绕于芯片的四周，并分别与芯片和电性连接载体焊接固定，用于对芯片和电性连接载体之间所产生的缝隙进行密封；第一金属焊接层与第二金属焊接层为相同材质，且相互隔开互不导通。与现有技术相比，使得芯片封装过程简化，且耗时短提高封装效率。

技术领域

本实用新型涉及电子设置，特别涉及一种芯片焊接密封结构。

背景技术

现有的电子设备中，芯片为其中的一种电子元件，与电子设备中的电性连接载体电性连接。芯片的底面通过金属焊接层焊接在电性连接载体上，但是金属焊接层将芯片焊接在电性载体上后，芯片和电性连接载体之间还存在间隙，在长期使用过程中芯片底面和金属焊接层遭到腐蚀损坏，使得芯片与电性连接载体之间的连接性变差，从而导致使用功能受损，影响使用寿命。因此，现有技术中，当将芯片与电性连接载体之间的金属焊接层烘干，实现芯片与电性连接载体之间的电性连接之后，再在芯片四周涂覆胶水，将芯片与电性连接载体之间的间隙密封住。由于胶水为液体状粘稠类物质，胶水涂覆结束后，需要将芯片和电性连接载体整体放入70℃的烤炉中进行烘烤半小时，加固凝结，再将模块整体取出烤炉静置半小时，自然干结，才完成整个芯片的密封。发明人发现，现有的芯片封装中，由于封装层为胶水，在芯片与电性连接载体电性连接后，还需对胶水进行烘烤静置，使胶水凝固，因此芯片的封装过程较为复杂，且耗时久，整体设备的生产效率较低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种芯片焊接密封结构，使得芯片封装过程简化，且耗时短，提高封装效率。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施方式提供了一种芯片焊接密封结构，包括：第一金属焊接层，用于将芯片焊设在电性连接载体上，且所述芯片在被焊设在所述电性连接载体上后，与所述电性连接载体电性导通；

第二金属焊接层，环绕于所述芯片的四周，并分别与所述芯片和所述电性连接载体焊接固定，用于对所述芯片和所述电性连接载体之间所产生的缝隙进行密封；

其中，所述第一金属焊接层与所述第二金属焊接层为相同材质，且相互隔开互不导通。

本实用新型实施方式相对于现有技术而言，由于设有第一金属焊接层和第二金属焊接层，第一金属焊接层将芯片焊设在电性连接载体上，第二金属焊接层环绕在芯片的四周，将芯片与电性连接载体之间的缝隙密封，因此通过第一金属焊接层和第二金属焊接层，不但可实现芯片与电性连接载体之间电性导通，而且还能满足对芯片的封装。另外，第一金属焊接层与第二金属焊接层为相同材质，且相互隔开互不导通，从而只需在第一金属焊接层与第二金属焊接层焊设后直接对该第一金属焊接层和第二金属焊接层整体烘干一次，即可使得芯片与电性连接载体之间的连接更为稳固，进而减少了芯片的封装步骤，使得芯片的封装更为简化，也减少了封装时间，降低了成本。

另外，所述电性连接载体上具有用于涂覆所述第一金属焊接层的第一金属涂覆区、用于涂覆所述第二金属焊接层的第二金属涂覆区；其中，所述第二金属涂覆区为一闭环结构，用于围住所述第一金属涂覆区，并与所述第一金属涂覆区相互隔开，且所述第二金属涂覆区还用在所述芯片焊设在所述电性连接载体上后对所述芯片的四周进行环绕。通过将第一金属涂覆区和第二金属涂覆区的设置，使得第一金属焊接层和第二金属焊接层相互隔开，使得第一金属焊接层能满足芯片与电性连接载体之间正常的电性连接，而第二金属焊接层可实现芯片在电性连接载体上的密封。

另外，所述第二金属涂覆区为一内凹区。使得第二金属焊接层在对芯片进行焊接密封时，可放置第二金属焊接层溢出。

另外，所述内凹区为内凹的弧面。

另外，所述第二金属涂覆区所围成的闭环结构的外形与所述芯片的外形相同，用于沿着所述芯片的四周环绕形成。从而将芯片完全密封在电性连接载体上。