[实用新型]一种AlGaP基紫外探测器有效

申请号：	201820381172.1	申请日：	2018-03-21
公开（公告）号：	CN208014712U	公开（公告）日：	2018-10-26
发明（设计）人：	李国强;郑昱林;王文樑	申请（专利权）人：	华南理工大学
主分类号：	H01L31/0304	分类号：	H01L31/0304;H01L31/102;H01L31/18
代理公司：	广州粤高专利商标代理有限公司 44102	代理人：	何淑珍;冯振宁
地址：	510640 广***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	紫外探测器本实用新型掺杂的非掺杂缓冲层紫外光表面覆盖灵敏探测紫外检测生长衬底层覆盖应用
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【权利要求书】：

1.一种AlGaP基紫外探测器，其特征在于，包括衬底层（1）、AlP缓冲层（2）、非掺杂GaP层（3）、Si掺杂的n-AlGaP层（4）、i-AlGaP层（5）、第一Au层（6）和第二Au层（7），所述衬底层（1）上覆盖着AlP缓冲层（2），AlP缓冲层（2）上覆盖着非掺杂GaP层（3），非掺杂GaP层（3）上覆盖着Si掺杂的n-AlGaP层（4）；所述Si掺杂的n-AlGaP层（4）上表面的一侧覆盖有i-AlGaP层（5），另一侧覆盖有第一Au层（6）；所述i-AlGaP层（5）上覆盖有第二Au层（7）。

2.根据权利要求1所述的一种AlGaP基紫外探测器，其特征在于，所述衬底的厚度为320~450 μm。

3.根据权利要求1所述的一种AlGaP基紫外探测器，其特征在于，所述AlP缓冲层的厚度为120~200 nm。

4.根据权利要求1所述的一种AlGaP基紫外探测器，其特征在于，所述非掺杂GaP层的厚度为1000~2500 nm。

5.根据权利要求1所述的一种AlGaP基紫外探测器，其特征在于，所述Si掺杂的n-AlGaP层的厚度为1000~3000 nm。

6.根据权利要求1所述的一种AlGaP基紫外探测器，其特征在于，所述第一Au层的厚度为1000~2000 nm。

7.根据权利要求1所述的一种AlGaP基紫外探测器，其特征在于，所述i-AlGaP层的厚度为1000~3000 nm。

8.根据权利要求1所述的一种AlGaP基紫外探测器，其特征在于，所述第二Au层的厚度为1000~2000 nm。

9.根据权利要求1所述的一种AlGaP基紫外探测器，其特征在于，所述的衬底为蓝宝石衬底、Si衬底、LiGaO₂衬底或La_0.3Sr_1.7AlTaO₆衬底。

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