[实用新型]一种保护芯片在上下电期间数据被异常写入装置有效
| 申请号： | 201820385103.8 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN207883319U | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 宋元应 | 申请（专利权）人： | 深圳市正合智能控制技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京久维律师事务所 11582 | 代理人： | 邢江峰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 上下电 本实用新型 保护芯片 逻辑芯片 写入装置 开关管 电源 芯片 电压监控芯片 受控电源电路 系统工作电源 专用复位芯片 系统可靠性 工作电源 供电电源 开关机时 控制信号 偶发事件 受控电源 数据存储 数据丢失 传统的 受控源 渐变 受控 写入 输出 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种保护芯片在上下电期间数据被异常写入装置，包括电源E、RST芯片U1、开关管T1、开关管T2、RST芯片U2、MCU、flash存储器U4、FRAM存储器U5和逻辑芯片U6，其特征在于，所述电源E分别给RST芯片U1、开关管T1的漏极、开关管T2的漏极、RST芯片U2和MCU供电，MCU分别连接flash存储器U4、FRAM存储器U5和逻辑芯片U6，RST芯片U2还通过电阻连接开关管T2的栅极，开关管T2的源极连接flash存储器U4。
2.根据权利要求1所述的一种保护芯片在上下电期间数据被异常写入装置，其特征在于，所述开关管T1为三极管或场效应管。
3.根据权利要求1所述的一种保护芯片在上下电期间数据被异常写入装置，其特征在于，所述开关管T2为三极管或场效应管。
4.根据权利要求1所述的一种保护芯片在上下电期间数据被异常写入装置，其特征在于，所述逻辑芯片为74HC245。
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