[实用新型]半导体储存器的晶体管结构

权利要求书

1.一种半导体储存器的晶体管结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有源区；

字线，以埋入式设置在所述衬底中，并与所述有源区相交；所述有源区具有接触窗，位于相邻两个所述字线之间；

位线接触垫，沉积形成于所述接触窗上；以及

位线，形成于所述衬底上，所述位线与所述有源区相交错部位连接所述位线接触垫，所述位线接触垫形成在所述位线遮盖所述有源区的区域下而不完全填满所述接触窗；

其中，所述有源区还具有离子再注入区域，位于所述接触窗中且未覆盖所述位线接触垫及所述位线的区域，以减缓所述接触窗在所述位线的交迭区域外的电场强度。

2.根据权利要求1所述的半导体储存器的晶体管结构，其特征在于，所述接触窗通过局部蚀刻所述有源区的中间部位而形成。

3.根据权利要求2所述的半导体储存器的晶体管结构，其特征在于，所述有源区两侧的源漏极区在靠近所述字线的侧边更形成为离子再注入扩散区域，所述离子再注入扩散区域毗邻所述字线。

4.根据权利要求1所述的半导体储存器的晶体管结构，其特征在于，所述衬底中设置有隔离结构，所述隔离结构形成于相邻所述有源区之间。

5.根据权利要求1至4任一项所述的半导体储存器的晶体管结构，其特征在于，所述字线呈直线延伸方式埋入于所述衬底中，所述离子再注入区域的注入深度等于大于所述字线的顶面距离所述衬底的上表面的第一埋入深度，但小于所述有源区的离子布植深度。

6.根据权利要求4所述的半导体储存器的晶体管结构，其特征在于，所述位线呈波浪状延伸方式排列在所述衬底上，使得所述位线交迭在所述隔离结构上的区段长度大于所述位线交迭在所述有源区上的区段长度两倍以上。

7.根据权利要求5所述的半导体储存器的晶体管结构，其特征在于，所述字线包括用以形成所述字线顶面的字线主体以及包覆所述字线主体的字线导电层，所述字线导电层的顶端距离所述衬底的上表面的第二埋入深度大于所述字线的顶面距离所述衬底的上表面的第一埋入深度，但小于所述离子再注入区域的注入深度。

8.根据权利要求7所述的半导体储存器的晶体管结构，其特征在于，所述字线导电层和所述离子再注入区域的迭合区域小于所述字线导电层和所述有源区的迭合区域。