[实用新型]测试结构及阵列基板

权利要求书

1.一种测试结构，包括用于将测试信号引入阵列基板的测试晶体管，其特征在于，所述测试晶体管的沟道宽长比大于10；所述测试晶体管的沟道长度的取值范围在2～10微米；所述测试晶体管的沟道宽度的取值范围在10～50微米；

对应所述阵列基板的任意相邻两条数据线，所述测试晶体管分为两组测试晶体管组，每组所述测试晶体管组中有至少一个所述测试晶体管；并且，所述测试结构还包括两条测试信号线和一条测试控制栅线，其中，

两条所述测试信号线分别与两组中的所述测试晶体管的源极连接；

两组中的所述测试晶体管的栅极均与所述测试控制栅线连接。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，每组所述测试晶体管组中有多个所述测试晶体管，且多个所述测试晶体管相互并联。

3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，每组所述测试晶体管组中的所述测试晶体管为两个，分别为第一测试晶体管和第二测试晶体管；并且，同组中的所述第一测试晶体管和第二测试晶体管共用一个源极，所述源极通过至少一个过孔与有源层电连接；

所述第一测试晶体管的漏极与所述数据线连接，且所述第一测试晶体管的漏极通过第一过孔与所述有源层电连接；

所述第二测试晶体管的漏极通过数据线连接部与所述数据线连接，所述第二测试晶体管的漏极与数据线引线连接，且所述第二测试晶体管的漏极通过第二过孔与所述有源层电连接；

所述源极通过测试连接线与所述测试信号线连接，且所述源极通过第三过孔与所述有源层电连接；

所述第一测试晶体管的栅极和第二测试晶体管的栅极均与所述测试控制栅线连接。

4.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述测试连接线与所述测试信号线异层设置，且所述测试连接线与所述测试信号线通过第四过孔电连接。

5.根据权利要求3或4所述的测试结构，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板、栅极绝缘层和层间绝缘层，其中，

所述有源层设置在所述衬底基板上；所述栅极绝缘层设置在所述衬底基板上，并覆盖所述有源层；所述两条测试信号线、测试控制栅线和栅极均设置在所述栅极绝缘层上；所述层间绝缘层设置在所述栅极绝缘层上，且包覆所述两条测试信号线、测试控制栅线和栅极；所述数据线引线、所述第二测试晶体管的漏极、所述第一测试晶体管的漏极、所述源极和所述测试连接线均设置在所述层间绝缘层上；

或者，所述阵列基板包括衬底基板和栅极绝缘层，其中，所述两条测试信号线、测试控制栅线和栅极均设置在所述衬底基板上；所述栅极绝缘层设置在所述衬底基板上，且覆盖所述两条测试信号线、测试控制栅线和栅极；所述有源层设置在所述栅极绝缘层上；所述数据线引线、所述第二测试晶体管的漏极、所述第一测试晶体管的漏极、所述源极和所述测试连接线均设置在所述栅极绝缘层上；

或者，所述阵列基板包括衬底基板、栅极绝缘层和层间绝缘层，其中，所述两条测试信号线、测试控制栅线和栅极均设置在所述衬底基板上；所述栅极绝缘层设置在所述衬底基板上，且覆盖所述两条测试信号线、测试控制栅线和栅极；所述有源层设置在所述栅极绝缘层上；所述层间绝缘层设置在所述栅极绝缘层上，且覆盖所述有源层；所述数据线引线、所述第二测试晶体管的漏极、所述第一测试晶体管的漏极、所述源极和所述测试连接线均设置在所述层间绝缘层上。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-5任意一项所述的测试结构。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括保留区和切割区；所述测试结构位于所述切割区中；或者，所述测试结构位于所述保留区的非显示区中。